EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」（最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V）を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97％以上、1 MHzで96％以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

EPC（Efficient Power Conversion）は、新たに窒化ガリウム・デバイスを2品種製品化し、車載品質AEC Q101の製品ファミリを拡張しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年1月16日、当社のeGaNデバイス2品種が、新たに車載品質AEC Q101の認定を取得したと発表しました。自動車業界、およびその他の過酷な環境におけるさまざまなアプリケーションに対応します。この新製品2品種（「EPC2206」と「EPC2212」）は、いずれもウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCS：wafer level chip-scale package）に収めたディスクリート・トランジスタで、耐圧は、それぞれ80 Vと100 Vです。

最新のデータセンターで電源アーキテクチャが12 Vの電力バス分配から48 Vへと移行していることに伴って、48 V系の電力変換効率と電力密度の向上への要求が高まっています。この流れに沿って、eGaN^® FETとICを使って設計されたDC-DCコンバータは、高効率化と高電力密度化のソリューションを実現できます。加えて、マイルドハイブリッド、ハイブリッド、およびプラグイン・ハイブリッドの電気自動車における48 V電源システムに対して、GaNトランジスタは、大きさ、重さ、および部品表（BOM）のコスト削減を提供することができます。

米Power Systems Design誌
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48 Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム（GaN）・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95％を超えるピーク効率と225 W / 立方インチの電力密度を達成することができます。省エネのために軽負荷時の効率が重要なデータセンターのアプリケーションにおいて大きな関心事であるコンバータの効率は、出力20％まで下げても90％以上と高く維持されています。

米オンラインのPowerPulse
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GaN-on-SiはDC-DCコンバータの設計においてより一般的になるにつれて、同期整流器（SR）として使う場合、経験豊富な設計者は、GaNトランジスタの独特の特性の影響について多くの疑問を持ちます。特に、コンバータのデッドタイム期間中に起動されるSi MOSFETの「ボディ・ダイオード」の導通としてよく知られている第3象限のオフ状態特性に興味を持ちます。この記事では、「ボディ・ダイオード」として動作するときのSi MOSFETとeGaN^® FETの類似点と相違点に焦点を当て、相対的な長所と短所を概説します。

独Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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Efficient Power Conversion（(EPC）は、2種の窒化ガリウム・デバイスに対して車載部品の信頼性規格AEC Q101認定の取得を完了しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年5月1日、eGaN^®デバイス2品種に対して車載部品の信頼性規格AEC Q101認定を取得し、自動車やその他の過酷な環境での広範なアプリケーションへの扉を開けたと発表しました。この2品種（EPC2202とEPC2203）は、いずれもウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCS：wafer level chip-scale package）に収めた定格80 V_DSのディスクリート・トランジスタです。近々、過酷な車載環境向けに設計したディスクリート・トランジスタや集積回路を順次、製品化する予定です。

Efficient Power Conversionのパワー・モジュールEPC9204とEPC9205は、高周波でスイッチングできるeGaN^®パワー・トランジスタと集積回路を使ったDC-DC電力変換で実現された超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年3月6日、48 V入力からPOL（負荷点）電源アーキテクチャへの効率を高められるDC-DC変換用の新しいGaNパワー・モジュール2品種を発表しました。その1品種の「EPC9205」は、48 V入力から12 V出力に変換する用途向けの高電力密度のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、もう1品種の「EPC9204」は、超薄型のプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、20 V入力からPOLへの変換に対応しています。

Efficient Power Conversionの5相開発基板EPC9130は、高速でスイッチングできるeGaN^®パワー・トランジスタを使って実現された電力変換で超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2018年3月5日、48 V入力、12 V出力の完全に安定化された非絶縁型開発基板「EPC9130」を製品化しました。この開発基板は、1相当たりの出力電流が12 Aの5相構成で、最大出力電流は60 Aなので、出力電力は700 W以上が得られます。EPC9130は、1250 W /立方インチを超える極めて高い電力密度と96％以上の効率を実現しています。

ISL7002xSEH GaN FET とISL70040SEHローサイドGaN FETドライバが、打ち上げ機および人工衛星の電源供給を実現

先端の半導体ソリューションの主要サプライヤであるルネサスエレクトロニクス（本社：東京都江東区、証券コード：6723）は2月7日、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）およびローサイドGaN FETドライバを発表しました。新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の1次および2次DC/DCコンバータ電源に使用可能です。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバ、モータ制御ドライバ回路、ヒータ制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、100Vおよび28V電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動します。

プレスリリース掲載ウエブサイトの米ビジネスワイヤ
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンスで小型など、eGaN^® FETの優れた特性は、高共鳴のAirFuel^™ワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に理想的です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2017年8月10日、クラス4の完全なワイヤレス・パワー充電キット「EPC9120」を製品化しました。このシステムは、6.78 MHz（最も低いISM帯）で動作し、最大33 Wを供給できます。このデモ・キットの目的は、高効率のワイヤレス・パワー伝送にeGaN FETを採用するための評価プロセスを単純化することです。EPC9120は、EPCの窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しているので、さまざまな動作条件の下で、80％〜90％の最大電力効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現できます。

ドイツのニュルンベルクで開催された先週のPCIM Europe会議では、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが重要なトピックでした。「48 V入力、1 V出力のダイレクトDC-DCコンバータにGaNスイッチを使うと、今日の最高のシリコン・ベースの設計と比べて、システム性能を30％向上させることができます」とEfficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしています。

米PowerPulse
2017年5月31日
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窒化ガリウムIC：サーバーの電力効率を向上 ―― 無駄な電力、冷却、スペースを削減することは、データセンターのサイズに対する関心事だけにとどまりません。各ラックの範囲内での争いでもあります。そして、ときに、1つの小さな変化でも、大きな違いを生むことがあります。

米TechBeacon
2016年8月2日
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パワー・エレクトロニクスの応用に関する世界的大イベントであるAPEC^®2016で、EPC 社は、GaN 技術の優れた特性が、私たちの生き方をどのように変えるかを示す20件以上のデモを展示し、当社のエキスパートが、GaN FET技術に関する6件の技術的なプレゼンテーションを行います。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年3月1日、EPC社のチームが3月20日～24日に米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されるAPEC2016で窒化ガリウム（GaN）の技術と応用に関する6件の技術的なプレゼンテーションを行うと発表しました。さらに、最新のeGaN^® FETとICだけでなく、eGaN技術で可能になる顧客の最終製品も紹介します。ブース番号2244で展示するデモには、 Qi（チー）規格やAirFuel規格の全電力範囲およびマルチモード・ソリューションのワイヤレス・パワー・システム、48 V入力で1 V出力の1段のDC-DCコンバータ、3-DのリアルタイムLiDAR（光による検出と距離の測定）画像カメラ、LTE互換の包絡線追跡電源などがあります。

DC-DC「ブリック」・コンバータは、多くのエンジニアにはよく知られており、通信、ネットワーキング、データセンター、および、その他の多くのアプリケーションで広く使われています。これは、電源モジュールの標準化団体である米DOSA（Distributed-Power Open Standards Alliance）によって定義された共通のフットプリントが広く受け入れられているためで、一般的に入力／出力電圧範囲が採用されています。これらのコンバータは、絶縁型や降圧型であり、先進的なシステムの最適化と制御を可能にする機能によって、ますます洗練されてきています。

米EDN Networkk
2015年11月23日
By: John Glaser
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EPCのDC-DC Conversion handbookは、GaNパワー・トランジスタを用いたデータ通信機器や電力変換の用途において、効率や電力密度の向上を実現する方法を示す実用書です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年9月16日、DC-DC変換のハンドブック『DC-DC Conversion Handbook』を発行しました。情報への需要は、これまでにない速さで拡大し、通信、コンピューティング、ダウンロードへの社会の飽くなき要求がこの需要を牽引しています。クラウド・コンピューティングや、モノがインターネットにつながるIoT（internet of things）、言うまでもなくYouTubeに毎分、300時間もの動画が上げられることなど、新しい技術が出現し、もっと多くの情報にもっと高速にアクセスしたいというこのトレンドには、減速の兆候は見られません。これが、この実用的な工学ハンドブック『DC-DC Conversion: A Supplement to GaN Transistors for Efficient Power Conversion』執筆への動機づけとなり、挑戦となりました。

DC-DCバス・コンバータEPC9115によって、完全に安定化された絶縁型1/8ブリックDC-DCコンバータの回路構成において、所定のドライバとeGaN FETを使って得られる優れた特性を確認できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月15日、入力電圧範囲48 V〜60 Vで12 V、42 A出力のデモ・ボード「EPC9115」を製品化しました。エンハンスメント・モード（eGaN®）のパワー・トランジスタであるEPC2020（耐圧60 V）とEPC2021（耐圧80V）、および、米テキサス・インスツルメンツ社のハーフブリッジ・ドライバLM5113とローサイド・ドライバUCC27611を搭載しています。このパワー段は、従来のハード・スイッチングで300 kHzの絶縁型バック（降圧型）・コンバータです。

このコラムでは、高速で寄生要素が小さいデバイスを並列接続したときに直面する課題を扱うことによって、大電流出力の用途向けに並列接続したeGaN^® FETの能力を評価し、並列化技術の改良を示しました。この設計法の実験的検証では、最適化されたレイアウトにおける並列接続した4つのハーフブリッジが、480W、300kHz、40Aの48Vから12Vへのバック・コンバータとして動作し、35％～100％の負荷に対して、96.5％以上の効率が得られました。この設計法は、従来の並列化方法と比べて、電気的・熱的に優れた特性が得られ、高速GaNデバイスは、より大きな電流の動作向けに効率的に並列接続することができることを実証しました。

EEWeb
著者： Alex Lidow
2014年4月

フランスの調査会社Yole Dévelopmentは今週、報告書「LEDとパワー・エレクトロニクス向けGaNオン・シリコン基板技術」を発表しました。アナリストは、GaNオン・シリコン技術は、パワー・エレクトロニクスのアプリケーションに広く採用されるだろうと信じています。パワー・エレクトロニクス市場は、ACからDC、またはDCからACへの変換のようなアプリケーションに取り組みます。それは常に、より大きい電力と、より高い動作周波数で増加する実質的なエネルギー損失に関係しています。既存のシリコン・ベースの技術は、その限界に達しており、より高い要求を満たすのは難しいでしょう。

http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html

In this article, we show that using GaN Transistors such as Efficient Power Conversion’s eGaN® FETs can improve the efficiency of isolated eighth brick DC-DC converters. This type of power converters is used extensively in mainframes, servers and telecommunication systems, and is available in a variety of sizes, output power capability, and input and output voltage ranges. Its modularity, power density, reliability and versatility have simplified the isolated power supply market.

By Johan Strydom, Ph.D., Vice President of Applications, EPC
Bodo’s Power Systems

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