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Efficient Power Conversion(EPC)、高周波窒化ガリウム(eGaN)FET搭載の6.78 MHzで動作する高効率ワイヤレス・パワー伝送のデモ・システムを製品化

低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のワイヤレス給電規格 Rezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年6月27日、革新的で高性能な回路構成であるゼロ電圧スイッチング(ZVS)のD級によるワイヤレス・パワー伝送向けデモ・ボードを製品化しました。このアンプ(給電)基板 EPC9506EPC9507は、75%以上の効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現するために、EPC社の窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しています。

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パワーGaN市場:2016年~2020年の年間成長率は80%!

全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車(EV)/ハイブリッド車(HEV)が2018年~2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率(CAGR)を80%と推定しています。電源/PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50%を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。

市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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Efficient Power Conversion(EPC)、John Glaser博士がアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタとして入社したと発表

Glaser博士は、ベンチマークとなるパワー・コンバータの設計を担当し、高周波、高性能の電力変換システム用 eGaN FETs® を使っている顧客を支援します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年6月17日、John Glaser博士がアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタとして、EPC社のエンジニアリング・チームに加わったと発表しました。

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A級RFアンプ向けeGaN FET

EPCのeGaN® FETであるEPC8000シリーズのような高周波のエンハンスメント・モード・トランジスタは、2013年9月以来、広く利用されており、RF周波数での設計を単純化することができます。今回は、EPC8000シリーズのデバイスのRF特性を説明し、パルス化されたA級アンプへの実装を示します。RFデバイスの消費電力は一般的に、RF電力供給と同じ程度の電力なので、このアンプは、デバイスの熱的動作限界以下での動作を可能にするためにパルス化され、効率95%以上で十分な動作をするEPC8000シリーズのようなスイッチング素子とは異なります。EPC8000シリーズのFETは本来、スイッチングで電力変換する用途向けに設計されていますが、これとは別に、優れたRF特性を示し、結論では、同じような仕様のLDMOSと比較します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年5月29日

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GaNの製造が、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用

数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます! そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。

米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日

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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム・トランジスタを備えたハーフブリッジ・コンバータ構成の評価基板DrGaNPLUSを製品化、プラグ・アンド・プレイ対応で効率97%

DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。

最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN=48 V、VOUT=12 Vで、ピーク効率97%を実現しています。

EPC9202は、単一のPWM(パルス幅変調)入力によって駆動され、2個のeGaN FET(EPC2001)、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを備えています。この DrGaNPLUS 基板は、一辺当たりわずか9 mm強と小さく、プリント回路基板上に直接、実装することができます。これは、共通ソースと高周波の電力転流ループ・インダクタンスによる減衰の影響を最小化する最適なレイアウトで設計されています。

機能

利点

  • ピーク効率97% (VIN =48 V から VOUT = 12 Vへ)
  • 電力密度の向上
  • 必要なすべての部品を搭載、最適レイアウト技術
  • 迅速な市場導入のための評価が容易
  • 単一PWM入力でプリント回路基板の実装が容易
  • プラグ・アンド・プレイのアセンブリ
  • 高周波eGaN FET
  • システムのサイズとコストを削減
 

「当社のDrGaNPLUS シリーズの最初の基板であるeGaN FET評価基板のEPC9202の製品化に興奮しています。特性の向上、低コスト、高信頼性に加えて、使いやすさは、新技術採用における重要な要素です。 DrGaNPLUS 評価基板の導入に伴って、電力変換システムの設計エンジニアは今、パワー・システム回路に窒化ガリウム・トランジスタを組み込むことによる比類のないメリットを評価するための迅速で簡単な方法を手に入れられます」とEPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしました。

セットアップ手順、回路図、特性曲線、BOM(部品表)を含む クイック・スタート・ガイドが参考のためにEPC9202デモ・ボードに同梱され、使いやすさはオンラインで提供されます。

デモ・ボードEPC9202の単価は、45.00米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

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IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「GaNトランジスタ:無線エネルギー伝送におけるシリコンを粉砕」

IEEE PELSが6月4日にウェビナ(webinar)を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分~午前11時30分(東部夏時間)に、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する1時間のウェビナを実施します。

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電力変換:シリコンの道は行き止まり

シリコンは、電力変換特性の理論的限界に達しています。窒化ガリウム(GaN)や炭化シリコン(SiC)は、シリコン・パワーMOSFETの120億米ドル市場のほとんどを置き換えます。シリコンの理論的限界よりも5〜10倍優れている製品が今日、生産されています。

Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士
2014年5月

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D級およびE級のワイヤレス・パワー伝送システムにおけるエンハンスメント・モードGaNトランジスタの特性評価

無線エネルギー伝送の人気は、特に、携帯機器の充電を目的とする用途で、過去数年にわたって上昇してきています。この記事で、EPCは、免許不要のISM(Industrial、Scientific and Medical)帯の6.78MHzまたは13.56MHzで動作するA4WP規格に最適な疎結合コイルで高共鳴の無線ソリューションに焦点を当てます。

Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士、Michael De Rooij博士
2014年5月

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、窒化ガリウム(GaN)パワー・トランジスタのビデオ・ポッドキャストのシリーズを公開、パワー・システム設計エンジニアの学習曲線を加速へ

EPCは、業界のエキスパートによって制作された窒化ガリウム・パワー・トランジスタの理論や、設計の基礎、アプリケーションに関する11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月24日、窒化ガリウム・ベースのトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する技術の基本やアプリケーションに焦点を当てたツール・セットを、パワー・システムの設計エンジニアに提供することを目指した11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを制作し、ウエブ上に公開しました。

このビデオ・シリーズは、GaNトランジスタ利用のための理論的な下地と設計の基礎の概要を提供することに加え、通信システムやデータ通信システムの DC-DC変換 のように、広く利用されているパワー・エレクトロニクスのアプリケーションにおけるGaNトランジスタ利用の実例を示します。さらに、これらの優れたデバイスが、 ワイヤレス・パワー伝送RF包絡線追跡のような新たに出現したアプリケーションを、どのように可能にするのか、の例を示します。

このシリーズの第1弾は、「GaNの利用法 1:材料の比較」です。なぜ窒化ガリウムがそのような素晴らしく新しい半導体材料なのか、についての基本的な理解を提供します。これに続く話題はデバイス特性です。実際の設計例を示します。そして、ゲート駆動、レイアウト、熱管理のような設計基準の評価によるeGaN FETの実際のアプリケーションへと続きます。

「このシリーズは、1編当たり10分以下と短く、このビデオは、GaN技術の他に類を見ない利点や、電力変換システムでGaNトランジスタを動作させることの複雑さを設計者が理解する助けとなるでしょう。最も重要なことは、各ビデオは、設計エンジニアの学習曲線を加速させ、GaNパワー・トランジスタの高速スイッチング周波数と高性能という最大の利点を引き出す能力を向上させるでしょう」とEPCのCEO(最高経営責任者)兼共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

GaNの利用法のビデオ・シリーズは EPCのビデオ・ライブラリ 、または EPC YouTubeビデオ・チャネルで簡単にアクセスできます。

説明者について

説明者のAlex Lidow、Michael DeRooij、Johan Strydom、David Reuschは、エンハンスメント・モードGaNトランジスタを製品化した最初の会社であるEPCに所属しています。説明者全員をまとめると、パワー・トランジスタの設計や応用で75年以上の経験を持っています。4人の説明者はすべて、新たに出現したGaNトランジスタ技術の広範で実務的な経験を備え、科学的学問分野の博士号を取得しています。Lidow博士は、GaNトランジスタの理論とプロセス設計に専念し、Strydom博士、DeRooij博士、Reusch博士は、GaNパワー・トランジスタのアプリケーションに注力しています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、大電流、高降圧比のバック・コンバータ向け開発基板を製品化

開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ(IBC)向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、1個のハイサイド(制御)用電界効果トランジスタ(FET)と比べて、並列接続された2個のローサイド(同期整流)用FETが、はるかに長い期間導通します。

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GaNの利用法:大電流用途向け高速eGaN FETの並列接続

このコラムでは、高速で寄生要素が小さいデバイスを並列接続したときに直面する課題を扱うことによって、大電流出力の用途向けに並列接続したeGaN® FETの能力を評価し、並列化技術の改良を示しました。この設計法の実験的検証では、最適化されたレイアウトにおける並列接続した4つのハーフブリッジが、480W、300kHz、40Aの48Vから12Vへのバック・コンバータとして動作し、35%~100%の負荷に対して、96.5%以上の効率が得られました。この設計法は、従来の並列化方法と比べて、電気的・熱的に優れた特性が得られ、高速GaNデバイスは、より大きな電流の動作向けに効率的に並列接続することができることを実証しました。

EEWeb
著者: Alex Lidow
2014年4月

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Efficient Power Conversion(EPC)、最大効率89%、10MHzで動作するeGaNトランジスタ利用のDC-DCコンバータをGOMACTechで発表、厳しい環境条件でも動作

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード(GaN®)HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology(GOMACTech)コンファレンスでプレゼンテーションを行います。

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PMBus、GaNなどがAPEC 2014で満開

APEC 2014が終わりました。今年、米テキサス州フォートワースで開催されたIEEEパワー・エレクトロニクス会議では、印象に残るものが多くありました。その1つは、窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタが、興味深い方法で発展していることです・・・。

Electronic Design誌
2014年3月
http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014

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仏調査会社Yole:パワーがGaNオン・シリコン市場で優位を占める

フランスの調査会社Yole Dévelopmentは今週、報告書「LEDとパワー・エレクトロニクス向けGaNオン・シリコン基板技術」を発表しました。アナリストは、GaNオン・シリコン技術は、パワー・エレクトロニクスのアプリケーションに広く採用されるだろうと信じています。パワー・エレクトロニクス市場は、ACからDC、またはDCからACへの変換のようなアプリケーションに取り組みます。それは常に、より大きい電力と、より高い動作周波数で増加する実質的なエネルギー損失に関係しています。既存のシリコン・ベースの技術は、その限界に達しており、より高い要求を満たすのは難しいでしょう。

http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html

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