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市場調査会社の仏Yole Développement社の最新レポートによると、GaNパワー産業は、将来的に大きく成長する準備が整っています。
米Compound Semiconductor誌
2014年6月12日
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仏調査会社Yole Développement社は、Efficient Power Conversion(EPC)社のCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士にインタビューしました。
仏Yole Développement社
2014年6月
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EPCのeGaN® FETであるEPC8000シリーズのような高周波のエンハンスメント・モード・トランジスタは、2013年9月以来、広く利用されており、RF周波数での設計を単純化することができます。今回は、EPC8000シリーズのデバイスのRF特性を説明し、パルス化されたA級アンプへの実装を示します。RFデバイスの消費電力は一般的に、RF電力供給と同じ程度の電力なので、このアンプは、デバイスの熱的動作限界以下での動作を可能にするためにパルス化され、効率95%以上で十分な動作をするEPC8000シリーズのようなスイッチング素子とは異なります。EPC8000シリーズのFETは本来、スイッチングで電力変換する用途向けに設計されていますが、これとは別に、優れたRF特性を示し、結論では、同じような仕様のLDMOSと比較します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年5月29日
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数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます! そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。
米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日
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DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。
最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN=48 V、VOUT=12 Vで、ピーク効率97%を実現しています。
EPC9202は、単一のPWM(パルス幅変調)入力によって駆動され、2個のeGaN FET(EPC2001)、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを備えています。この DrGaNPLUS 基板は、一辺当たりわずか9 mm強と小さく、プリント回路基板上に直接、実装することができます。これは、共通ソースと高周波の電力転流ループ・インダクタンスによる減衰の影響を最小化する最適なレイアウトで設計されています。
機能
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利点
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- ピーク効率97% (VIN =48 V から VOUT = 12 Vへ)
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「当社のDrGaNPLUS シリーズの最初の基板であるeGaN FET評価基板のEPC9202の製品化に興奮しています。特性の向上、低コスト、高信頼性に加えて、使いやすさは、新技術採用における重要な要素です。 DrGaNPLUS 評価基板の導入に伴って、電力変換システムの設計エンジニアは今、パワー・システム回路に窒化ガリウム・トランジスタを組み込むことによる比類のないメリットを評価するための迅速で簡単な方法を手に入れられます」とEPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしました。
セットアップ手順、回路図、特性曲線、BOM(部品表)を含む クイック・スタート・ガイドが参考のためにEPC9202デモ・ボードに同梱され、使いやすさはオンラインで提供されます。
デモ・ボードEPC9202の単価は、45.00米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。
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IEEE PELSが6月4日にウェビナ(webinar)を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分~午前11時30分(東部夏時間)に、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する1時間のウェビナを実施します。
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シリコンは、電力変換特性の理論的限界に達しています。窒化ガリウム(GaN)や炭化シリコン(SiC)は、シリコン・パワーMOSFETの120億米ドル市場のほとんどを置き換えます。シリコンの理論的限界よりも5〜10倍優れている製品が今日、生産されています。
Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士
2014年5月
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無線エネルギー伝送の人気は、特に、携帯機器の充電を目的とする用途で、過去数年にわたって上昇してきています。この記事で、EPCは、免許不要のISM(Industrial、Scientific and Medical)帯の6.78MHzまたは13.56MHzで動作するA4WP規格に最適な疎結合コイルで高共鳴の無線ソリューションに焦点を当てます。
Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士、Michael De Rooij博士
2014年5月
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EPCは、業界のエキスパートによって制作された窒化ガリウム・パワー・トランジスタの理論や、設計の基礎、アプリケーションに関する11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを公開しました。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月24日、窒化ガリウム・ベースのトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する技術の基本やアプリケーションに焦点を当てたツール・セットを、パワー・システムの設計エンジニアに提供することを目指した11編の教育ビデオのポッドキャスト・シリーズを制作し、ウエブ上に公開しました。
このビデオ・シリーズは、GaNトランジスタ利用のための理論的な下地と設計の基礎の概要を提供することに加え、通信システムやデータ通信システムの DC-DC変換 のように、広く利用されているパワー・エレクトロニクスのアプリケーションにおけるGaNトランジスタ利用の実例を示します。さらに、これらの優れたデバイスが、 ワイヤレス・パワー伝送 や RF包絡線追跡のような新たに出現したアプリケーションを、どのように可能にするのか、の例を示します。
このシリーズの第1弾は、「GaNの利用法 1:材料の比較」です。なぜ窒化ガリウムがそのような素晴らしく新しい半導体材料なのか、についての基本的な理解を提供します。これに続く話題はデバイス特性です。実際の設計例を示します。そして、ゲート駆動、レイアウト、熱管理のような設計基準の評価によるeGaN FETの実際のアプリケーションへと続きます。
「このシリーズは、1編当たり10分以下と短く、このビデオは、GaN技術の他に類を見ない利点や、電力変換システムでGaNトランジスタを動作させることの複雑さを設計者が理解する助けとなるでしょう。最も重要なことは、各ビデオは、設計エンジニアの学習曲線を加速させ、GaNパワー・トランジスタの高速スイッチング周波数と高性能という最大の利点を引き出す能力を向上させるでしょう」とEPCのCEO(最高経営責任者)兼共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。
GaNの利用法のビデオ・シリーズは EPCのビデオ・ライブラリ 、または EPC YouTubeビデオ・チャネルで簡単にアクセスできます。
説明者について
説明者のAlex Lidow、Michael DeRooij、Johan Strydom、David Reuschは、エンハンスメント・モードGaNトランジスタを製品化した最初の会社であるEPCに所属しています。説明者全員をまとめると、パワー・トランジスタの設計や応用で75年以上の経験を持っています。4人の説明者はすべて、新たに出現したGaNトランジスタ技術の広範で実務的な経験を備え、科学的学問分野の博士号を取得しています。Lidow博士は、GaNトランジスタの理論とプロセス設計に専念し、Strydom博士、DeRooij博士、Reusch博士は、GaNパワー・トランジスタのアプリケーションに注力しています。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]
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開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ(IBC)向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、1個のハイサイド(制御)用電界効果トランジスタ(FET)と比べて、並列接続された2個のローサイド(同期整流)用FETが、はるかに長い期間導通します。
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このコラムでは、高速で寄生要素が小さいデバイスを並列接続したときに直面する課題を扱うことによって、大電流出力の用途向けに並列接続したeGaN® FETの能力を評価し、並列化技術の改良を示しました。この設計法の実験的検証では、最適化されたレイアウトにおける並列接続した4つのハーフブリッジが、480W、300kHz、40Aの48Vから12Vへのバック・コンバータとして動作し、35%~100%の負荷に対して、96.5%以上の効率が得られました。この設計法は、従来の並列化方法と比べて、電気的・熱的に優れた特性が得られ、高速GaNデバイスは、より大きな電流の動作向けに効率的に並列接続することができることを実証しました。
EEWeb
著者: Alex Lidow
2014年4月
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EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード(GaN®)HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology(GOMACTech)コンファレンスでプレゼンテーションを行います。
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EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidowは、EPCのeGaN FET向けの新奇なアプリケーションに関して、米Electronic Design誌エディタのDon Tuite氏のインタビューを受けました。
Electronic Design誌
2014年3月
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EPCのMichael de Rooijは、米Power Systems Design誌エディタのAlix Paultre氏にワイヤレス・パワー伝送のデモを実演しました。
Power Systems Design誌
2014年3月
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EPCのエキスパートは、アジアにおいて業界をリードする3つの会議でGaN FET技術の技術的プレゼンテーションを行います ―― Electronica China、IIC China Power Management、およびSemiconductor and International Workshop on Wide Band Gap Power Electronics 2014 in Taiwanの3つです。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年3月12日、アジアにおける業界をリードする3つのパワー・コンファレンスでプレゼンテーションを行います。
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ドイツ航空宇宙センター(DLR)のThe Institute of Robotics and Mechatronicsは、センサーとパワー・エレクトロニクスの改良に非常に関心を持っており、EPCの新しいエンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術を評価するために、この新しいロボット開発の機会を利用しました。そして、これまでで最高の当社のインバータ設計でこれを比較します。
Bodo’s Power Systems
著者:Robin Gruber、ドイツ航空宇宙センター(DLR)
2014年3月
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パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日~20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。
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耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧VDSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗RDS(on) (内部抵抗)の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン(pC)です。
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