リファレンス・デザインのEPC91120は、ロボットの関節や UAV（無人航空機）向けに、超小型で電力、検出、制御を統合しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、人型ロボットの関節向けに最適化した高性能3相ブラシレスDC（BLDC）モーター駆動用インバータ「EPC91120」を発売したと発表しました。EPC91120には、当社のePower™ Stage ICのEPC23102を搭載し、ロボットのモーター・アセンブリ内に直接組み込める直径32 mmの小さな面積で、優れた効率、高い電力密度、高精度なモーター制御を実現します。

EPCのモジュール型5 kWのGaN設計がAI（人工知能）サーバーとOCP ORv3ラックに電力を供給

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月22日、次世代サーバーや AI（人工知能）の電源アーキテクチャ向けの窒化ガリウム（GaN）技術の可能性を最大限に発揮する交流（AC）入力、直流48 V出力の高効率、高電力密度の5 kWリファレンス・デザインの提供を開始したと発表しました。

4レベル・トーテムポールPFC（EPC91107KIT）と入力直列出力並列（ISOP：Input-Series Output-Parallel）LLCコンバータ（EPC91110KIT）で構成されるこの完全なシステムは、最大96.5%のシステム効率と116 W/立方インチ（1インチは2.54 cm）の総合電力密度を実現します。Open Rack V3（OCP ORv3）のサイズ要件を満たすように設計したこのモジュール型ソリューションは、同等のシリコン実装と比べて、大幅に小型化され、低コストでありながら優れた性能を実現します。

最近のPCIM Asia展示会で、中国EETimes China誌は、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）にインタビューし、高密度サーバーや人型ロボットに使われるGaN製品と技術を紹介しました。

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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・ベースのパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月13日、次世代 AI（人工知能） データセンター向け800 V_DCの電力分配システムの採用を加速する革新的なパワー・コンバータを開発したと発表しました。

将来のAIファクトリー・データセンターには、メガワット規模のラック電力供給システムが必要になります。この課題に対処するため、当社は、入力直列出力並列（ISOP：Input Series Output Parallel）構成に基づく、低コストで薄型の800 V入力、12.5 V出力のGaNベースの6 kWコンバータを開発しました。

英Electronic Product Design & Test（EPDT）との独占ビデオ・インタビューで、EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士が、GaN技術がパワー・エレクトロニクス業界にどのような変革をもたらしているかについて語っています。

同氏は、AI（人工知能）サーバー、ロボット、宇宙の各用途の爆発的な成長に焦点を当て、GaNの優れた効率、電力密度、そして小型サイズが、まったく新しいシステム・アーキテクチャを可能にしていることを強調しています。EPCの高性能市場への戦略的注力、同社のファブレス・イノベーション・モデル、そして電力変換の次の10年を決定づけるであろう統合型GaN ICへの移行についても、同氏の見解を紹介しています。

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40 V～15 Vの範囲で動作する次世代GaNトランジスタの登場によって、オン抵抗R_DS(on)の仕様は、数100マイクロオームという驚異的なレベルに達し、同等のサイズのパワーMOSFETを大幅に上回る性能を実現しています。これらの超低抵抗FETの利点を最大限に活用するためには、性能を損なう可能性のある余分な抵抗を防ぐために、慎重なプリント回路基板のレイアウトが不可欠です。この記事では、GaN FETのさまざまなレイアウト戦略を検証し、異なるプリント回路基板の構成が各設計に対して追加される抵抗にどのような影響を与えるかを分析します。

独Bodo’s Power Systems
2025年10月5
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3部構成のシリーズのこの最終回では、サーバー電源における絶縁型DC-DC段について解説します。この設計は、入力直列出力並列（ISOP：input-series, output-parallel）構成の4個のLLCモジュールを搭載し、直流400 Vのバスと直流50 Vの出力の間で最大5.5 kWの電力を処理できます。この固定比率コンバータは、高度なサーバー電源アーキテクチャにガルバニック絶縁と高性能を提供します。

独Bodo’s Power Systems
2025年9月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・ベースのパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月3日、9月24日～26日に中国の上海で開催されるパワー半導体の展示会PCIM Asia 2025に参加すると発表しました。当社のホールN5、スタンドE12に来て、業界で最も包括的なGaNポートフォリオを見て、当社の技術のエキスパートたちと交流を深められます。

GaNで未来を探る

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月5日、北京知的財産裁判所が中国Innoscience（Suzhou）Technology Co., Ltd.（Innoscience）による控訴を棄却し、EPCの中国特許番号ZL201080015425.X、タイトル”Compensated gate MISFET and method for fabricating the same”（補償ゲート特許）の有効性を再確認したと発表しました。北京知的財産裁判所によるこの最新の判決は、EPCの貴重な知的財産ポートフォリオをさらに強化し、エンハンスメント・モードGaN半導体デバイスのパイオニアとしての地位をさらに強化するものです。

エンハンスメント・モードGaN電界効果トランジスタ（FET）とその製造に関するEPCの特許2件について、中国でInnoscience（Suzhou）が異議を申し立てていました。中国国家知識産権局（CNIPA）は2024年4月と5月に両特許を有効化していましたが、Innoscienceは補償ゲート特許に関する決定の再考を求めました（事件番号：（2024）京73行初15061号（（2004）Jing73XingChu NO.15061））。

EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタのMarco Palmaは、米Power Electronics News誌のインタビューで、EPC91118は、15 V～55 Vの直流入力から、3相BLDCモーターに対して1相当たり最大15 Armsを供給すると述べました。注目すべきは、パワー段、検出、制御、通信の各機能が、すべて直径32 mmの基板に統合されており、モーター制御の小型化における新たなベンチマークを確立したことです。

米Power Electronics News誌
2025年7月
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耐放射線（RH）窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスのリーダーである米EPC Space（本社：マサチューセッツ州アンドーバー）は、耐放射線eGaN^® ICのEPC7011L7Cを搭載した3相モーターの高性能デモ・ボード「EPC7C021」を製品化したと発表しました。評価とシステム統合を容易にするように設計したEPC7C021は、厳しい放射線環境下でのリアクション・ホイールやモーメンタム・ホイール、イオン・エンジン、ロボット、その他の自動化などのモーター駆動用途を開発するためのユーザー・フレンドリで柔軟なプラットフォームを提供します。

EPC7C021は、わずか6.50インチ×5.22インチ（1インチは2.54 cm）の完全な機能を備えた評価基板で、スタンド・アロンの３相モーター駆動回路として動作することも、コントローラ・ドーター・カードのEPC9147Aと組み合わせて閉ループのモーター制御として動作することもできます。この基板には、デッドタイム生成回路、電流と電圧のモニター機能、そしてオプションで正弦波近似用のフィルタ機能が搭載されており、宇宙や放射線環境といった厳しい用途におけるGaNの性能評価をしたい技術者に最適です。

GaN FETはパワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています ーー シリコンMOSFETよりも高速、小型、そして「安価」です。パワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2025のこのビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaN技術がAI（人口知能）サーバー、衛星、ロボットの推進力として今、なぜ注目を集めているかを解説します。ワイド・バンドギャップ半導体がシリコンの10倍の性能を実現する理由、100～200 VでGaNが実際に安価になる理由、そして新しい第7世代デバイスが前世代の1/3のサイズになる理由をご覧ください。

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GaN（窒化ガリウム） FETは、従来のシリコン半導体に比べて、優れた信頼性を備え、パワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています。パワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2025で発表されたこのビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、電力変換用途におけるGaN技術の基本的な利点について説明します。シリコンが故障するのに対し、GaNデバイスが300℃で動作できる理由、GaN FETにはスピリト効果がないこと、そしてこれらのワイド・バンドギャップ半導体が宇宙用途における放射線耐性をどのように実現しているかをご覧ください。

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リファレンス・デザインのEPC91118は、ロボットの関節や UAV（無人航空機）向けに、超小型な形状で電力、検出、制御を統合しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月10日、人型ロボットのモーター関節向けに、窒化ガリウム（GaN）IC技術を統合した初の商用リファレンス・デザイン「EPC91118」を製品化したと発表しました。人型ロボットの手足や小型ドローンの推進装置など、スペースが限られ重さに敏感な用途向けに最適化したEPC91118は、超小型の円形形状で、15 V～55 Vの直流入力から1相当たり最大15 ARMSの電流を供給できます。

GaN（窒化ガリウム）技術の継続的な成熟化に伴い、その用途は、従来シリコンMOSFETが主流だった低電圧領域へと拡大しています。この記事では、GaNの優れた効率、スイッチング損失の低減、そして小型な形状が、民生用電子機器、車載システム、エッジ・コンピューティングにおける電力変換をどのように変革し、低電圧電源設計における新たなイノベーションの時代を切り開いているのかを探ります。

英オンライン・ニュースComponents in Electronics
2025年6月
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この論説記事では、Alfred Vollmer氏が、従来のシリコンMOSFETからワイド・バンドギャップ（WBG：wide bandgap）半導体、特に窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）への移行の加速について考察しています。GaNデバイスは、かつてはシリコンMOSFETの独占領域だった領域をどんどん開拓しつつあります。

独Bodo’s Power Systems
2025年6月
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耐放射線性（RH）窒化ガリウム（GaN）・パワー・デバイスのリーダーである米EPC Space（本社：マサチューセッツ州アンドーバー）は6月25日、次世代衛星の発電装置や電気推進システムなどの高電圧、大電力の宇宙用途向けに、比類のない性能を提供する耐放射線（RH：radiation-hardened）の耐圧300 Vの窒化ガリウム（GaN）FET「EPC7030MSH」を発売したと発表しました。

衛星プラットフォームでは、増大する電力需要と高度な太陽電池アレイ技術をサポートするために、より高い電圧バスが必要ですが、EPC7030MSHは、高効率、小型で耐久性の高いフロントエンド電力変換の厳しいニーズに対応します。

ヒートシンクが不要な 180 Wの小型 GaNバック・コンバータ ―― USB PD規格、ノート・パソコン、ポータブル電源の各用途に最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月24日、小型で熱効率に優れた2相同期整流型バック（降圧）・コンバータにおけるeGaN FETの利点を実証するために設計した高性能評価基板「EPC91109」を製品化したと発表しました。EPC91109は、最大180 WのUSB Power Delivery（USB-PD 3.1）規格の用途を対象としており、ノート・パソコン、携帯機器、バッテリー駆動システムなど、スペースと電力に制約のある設計向けに最適化されています。

現代の電力システムは、小型化の制約を守りながら、高効率、高電力密度、電磁干渉（EMI）雑音の低減が求められています。これらの課題に対処するコンバータ構成の中でも、フライング・コンデンサ・マルチレベル（FCML）・コンバータは、固有の利点で際立っています。FCMLコンバータは、窒化ガリウム（GaN）のパワー・トランジスタと組み合わせることで、特に48 Vのデータセンターの電力供給、バッテリー管理システム、高効率力率改善（PFC）回路などの中程度の電圧の用途において、比類のないレベルの性能を提供します。

米Power Systems Design誌
2025年6月
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EPC9196は、96～150 Vのバッテリー用途向けに最適化した25 ARMSで3相のBLDCモーター駆動用インバータです。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月10日、eGaN FET のEPC9196を搭載した25 A_RMS、3相のBLDCモーター駆動用の高性能インバータのリファレンス・デザイン「EPC2304」を製品化したと発表しました。EPC9196は、無人搬送車（AGV）のステアリング・システム、小型自動運転車のトラクション・モーター、ロボットの精密モーター・ジョイントなど、中程度の電圧（96 V～150 V）のバッテリー駆動のモーター駆動用途向けに特別に設計されています。