EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidowは、EPCのeGaN FET向けの新奇なアプリケーションに関して、米Electronic Design誌エディタのDon Tuite氏のインタビューを受けました。

Electronic Design誌
2014年3月
インタビューを見る

EPCのDavid Reuschは、エンハンスメント・モードGaN、および、損失を低減することに貢献するパッケージ不要のパッケージについて語ります。

Electronic Products誌
2013年10月
インタビューを見る

米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。

米EEWeb Pulse誌
2013年6月

著者：Alix Paultre、米PSD（Power Systems Design）誌エディトリアル・ディレクタ
日付：2013年3月12日

このポッドキャストでは、GaNデバイスと、そのパワー業界への影響について、Efficient Power Conversion（EPC）社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）と話します。EPC社は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC社は、POL（負荷点）コンバータ、PoE（Power over Ethernet）、サーバーやコンピュータのDC-DCコンバータ、LED（発光ダイオード）照明、携帯電話、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、D級オーディオ・アンプなどのアプリケーションで、パワーMOSFETの置き換えとして、シリコン・パワーMOSFETよりもデバイス特性が何倍も優れているエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®） FETを最初に製品化しました。

http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282

Alex Lidow, the co-inventor of the HEXFET power MOSFET and CEO of Efficient Power Conversion (EPC), describes how their Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors (eGAN FETs) work to bring tremendous size and performance advantages over silicon power MOSFETs.

Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website.  The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.

Listen to Interview

MOSFET、IGBT可以休矣，即将成为过去，在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官Alex Lidow日前在接受EDN China专访时的说法。Lidow博士之前在IR担任了12年CEO，在2007年他创立了宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC），他在斯坦福大学的博士论文就是关于HEXFET功率MOSFET的，是相关专利的发明者之一。在HEXFET专利过期之前，相关版税已超过9亿美元。

閱讀全文