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GaNパワー•トランジスタEPC2100は、パワー・システムの設計者に、完全なバック・コンバータ・システムの効率と電力密度を向上するためのソリューションを提供します。スイッチング500 kHzで、12 Vから1.2 Vに変換するときの効率は、10 Aで93％弱、25 Aで90.5％以上を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年9月24日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタで初めてのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2100」を製品化しました。2個のeGaNパワーFETを単一のデバイスに集積化することで、相互接続インダクタンスと、プリント回路基板上に必要なデバイス間の空間が除去されます。最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特に、より高い周波数において）と電力密度の両方を向上できます。
ハーフブリッジ EPC2100に内蔵した各デバイスの電圧定格は30 Vです。上側（ハイサイド）FETのオン抵抗RDS(on)は、標準値で6mΩ、下側（ローサイド）FETのRDS(on)は標準1.5mΩです。入力電圧／出力電圧の比が大きいバック（降圧型）・コンバータの効率的なDC-DC変換を最適化するために、ハイサイドFETの大きさは、ローサイド・デバイスの約1／4になっています。EPC2100は、スイッチング速度と熱特性を改善するためにチップスケール・パッケージで提供され、電力密度を高めるために、パッケージ面積は6mm×2.3mmと小型です。
「今、設計者は、eGaN技術による製品、すなわち、スペースを節約し、効率を向上し、コストを削減できるモノリシックのeGaNハーフブリッジ・デバイスのファミリーの最初のサンプルを入手できます。電力変換システムがマルチメガヘルツ領域へと拡張すると同時に、システム効率と電力密度を向上するために、ディスクリート（個別）・デバイスの集積化が、ますます重要になります」と、EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス•リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板「
EPC9036」は、面積2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、集積化された1個のハーフブリッジEPC2100に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス•コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
価格と購入方法
モノリシック・ハーフブリッジEPC2100の1000個購入時の単価は5.81米ドルです。
開発基板EPC9036の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。
いずれも、Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN®FETの優れた特性は、高共鳴でRezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
このニュースをツイートするために、http://bit.ly/EPCWiPoPRを＃GaNFETと共にあなたのTwitterハンドル名にコピー・アンド・ペーストしてください。
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eGaN® パワー・トランジスタは、電力変換特性の水準を高くし続けています。低オン抵抗（内部抵抗）、低容量、大電流、および優れた熱特性が、効率98％以上の電力変換を可能にします。
このニュースをツイートするために、http://bit.ly/EPCXLPR1407を＃GaNFETと共にあなたのTwitterハンドル名にコピー・アンド・ペーストしてください。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年7月8日、新しい世代のパワー・トランジスタ6品種と、これらに対応する開発基板を発売しました。これらのパワー・トランジスタは、耐圧が30 V～200 Vの範囲で、オン抵抗（内部抵抗）を非常に低減しているので、大電力密度のDC-DCコンバータ、POL（負荷点）コンバータ、DC- DCおよびAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどの用途で出力電流能力を大きく増加させることができます。
新しいeGaN FET製品と用意した開発基板
| EPC2023 |
30 V |
1.3 mΩ |
590 A |
150°C |
EPC9031 |
EPC9018 |
| EPC2024 |
40 V |
1.5 mΩ |
550 A |
150°C続きを読む
低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のワイヤレス給電規格 Rezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年6月27日、革新的で高性能な回路構成であるゼロ電圧スイッチング（ZVS）のD級によるワイヤレス・パワー伝送向けデモ・ボードを製品化しました。このアンプ（給電）基板 EPC9506とEPC9507は、75％以上の効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現するために、EPC社の窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しています。
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DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。
最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN＝48 V、VOUT=12 Vで、ピーク効率97％を実現しています。
EPC9202は、単一のPWM（パルス幅変調）入力によって駆動され、2個のeGaN FET（EPC2001）、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを備えています。この DrGaNPLUS 基板は、一辺当たりわずか9 mm強と小さく、プリント回路基板上に直接、実装することができます。これは、共通ソースと高周波の電力転流ループ・インダクタンスによる減衰の影響を最小化する最適なレイアウトで設計されています。
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機能
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利点
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- ピーク効率97％ (VIN =48 V から VOUT = 12 Vへ）
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「当社のDrGaNPLUS シリーズの最初の基板であるeGaN FET評価基板のEPC9202の製品化に興奮しています。特性の向上、低コスト、高信頼性に加えて、使いやすさは、新技術採用における重要な要素です。 DrGaNPLUS 評価基板の導入に伴って、電力変換システムの設計エンジニアは今、パワー・システム回路に窒化ガリウム・トランジスタを組み込むことによる比類のないメリットを評価するための迅速で簡単な方法を手に入れられます」とEPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしました。
セットアップ手順、回路図、特性曲線、BOM（部品表）を含む クイック・スタート・ガイドが参考のためにEPC9202デモ・ボードに同梱され、使いやすさはオンラインで提供されます。
デモ・ボードEPC9202の単価は、45.00米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
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開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67％増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ（IBC）向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、１個のハイサイド（制御）用電界効果トランジスタ（FET）と比べて、並列接続された2個のローサイド（同期整流）用FETが、はるかに長い期間導通します。
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耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧VDSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗RDS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。
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開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック（降圧）・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。
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EPCの一般的なエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETの商用の高鉛版であるEPC2801、EPC2815、EPC2818を製品化
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年10月16日、より高い温度のはんだ付けが必要な用途に最適な高鉛はんだ端子を備えたデバイスを発売しました。このEPC2801、EPC2815、EPC2818は、高鉛（鉛95％、スズ5％）のはんだ端子が特徴です。
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パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。
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窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。
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EPC9107は、高周波スイッチング用eGaNパワー・トランジスタを使って構成した電力変換において、サイズの削減と効率の向上を実現します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com）は2013年6月19日、完全な機能を備えたバック（降圧）型電力変換のデモ回路「EPC9107」を製品化しました。この基板は、9 V～28 Vの範囲の入力を3.3 Vに変換し、最大出力電流15 A、1 MHz動作のバック・コンバータです。米テキサス・インスツルメンツ社の耐圧100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバEPC2015と連携するeGaN FET（LM5113）を使っています。このeGaN専用ドライバと組み合わせたとき、EPC9107は、高周波スイッチング用eGaN FETによるサイズの削減と特性の実力を実証します。
デモ・ボードEPC9107は、面積が3インチ（１インチは2.54cm）角で、最適化された制御ループを備えた完全な閉ループのバック・コンバータが搭載されています。eGaN FET、ドライバ、コイル、入／出力コンデンサを含む完全なパワー段は、eGaNドライバLM5113と共にeGaN FETを使って実現できる特性を確かめられ、0.5インチ×0.5インチと超小型にレイアウトしてあります。
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開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。
開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。
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EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。
開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。
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EPC9102 showcases the performance that can be achieved using the EPC2001 eGaN FETs and the LM5113 eGaN FET driver from Texas Instruments
EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9102, a fully functional eighth brick converter. This board is a 36 V – 60 V input to 12 V output, 375 kHz phase-shifted full bridge (PSFB) eighth brick converter with 17 A maximum output current. The EPC9102 uses the 100 V EPC2001 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver to optimally drive and fully release the benefits of enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9102 demonstrates the performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this eGaN driver.
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EPC9101 demonstrates size reduction and efficiency enhancement for buck power conversion achieved using high frequency switching eGaN power transistors
EL SEGUNDO, Calif.—October 2011 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9101, a fully functional buck power conversion demonstration circuit. This board is an 8 V-19 V input to 1.2 V, 18 A maximum output current, 1MHz buck converter. It uses the EPC2014 and EPC2015 eGaN FETs in conjunction with the recently introduced National LM5113 100V half-bridge gate driver from Texas Instruments. The LM5113 is the industry’s first driver designed specifically for enhancement mode gallium nitride FETs. The EPC9101 demonstrates the reduced size and performance capabilities of high switching frequency eGaN FETs when coupled with this dedicated eGaN driver.
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EPC9006 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 100 V EPC2007 with a ready-made and easy-to-connect development board including well-documented engineering support materials.
EL SEGUNDO, Calif.—September, 2011 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9006 development board to make it easier for engineers to start designing with a 100 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN) field effect transistor (FET) in applications such as high-speed DC-DC power supplies, point-of-load converters, class D audio amplifiers, hard-switched and high frequency circuits.
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EPC2007 delivers high frequency switching with enhanced performance in lead-free, RoHS compliant package.
EL SEGUNDO, Calif. – September, 2011 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) announces the introduction of the EPC2007 as the newest member of EPC’s second-generation enhanced performance eGaN FET family. The EPC2007 is environmentally friendly; being lead free, RoHS-compliant (Restriction of Hazardous Substances), and halogen free.
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EPC9005 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 40 V EPC2014 with a ready-made and easy-to-connect development board including well-documented engineering support materials.
EL SEGUNDO, Calif.—August 2011 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces the EPC9005 development board to make it easier for users to start designing with a 40 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN) field effect transistor (FET) in applications such as high-speed DC-DC power supplies, point-of-load converters, class D audio amplifiers, hard-switched and high frequency circuits.
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EPC2014 delivers high frequency switching with enhanced performance in lead-free, RoHS compliant package.
EL SEGUNDO, Calif. – August 2011 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) announces the introduction of the EPC2014 as the newest member of EPC’s second-generation enhanced performance eGaN FET family. The EPC2014 is environmentally friendly; being lead free, RoHS-compliant (Restriction of Hazardous Substances), and halogen free.
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