GaNの利用法：エンハンスメント・モードGaNトランジスタの電気的特性 Posted 2013年7月2日 パワーMOSFETを使って仕事をしているパワー・システム設計者にとって、エンハンスメント・モードGaNトランジスタにアップグレードすることは簡単です。基礎的な動作特性は、非常に類似していますが、この新しい世代のデバイスから最大の利益を得るために、効率的な設計の中で考慮しなければならない2～3の特性があります。 米EEWeb誌 By: Alex Lidow 2013年7月 最も閲覧された関連記事 GaNの利用法：窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術の紹介 窒化ガリウム技術を探求する eGaN™-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM) How2 Get the Most Out of GaN Power Transistors ポッドキャスト：モーター制御とLidar用途向けのGaN