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GaNのモノリシック集積化は、さまざまな機能を備えたハーフブリッジのゲート・ドライバなど、複雑な回路が実現できるまでに成熟しました。この記事では、モノリシック・ハーフブリッジ集積回路の恩恵を受けるDC-DC変換やBLDCモーター駆動のアプリケーション例について説明します。
米Power Electronics News誌
2023年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、フットプリントの互換性があるePower™ Stage IC のファミリーを拡張して、電力密度を高め、DC-DC用途、モーター駆動、D級オーディオ・アンプのさまざまな電力要件に対応する設計を簡素化します。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月21日、定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。
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GaN技術は急速に発展しており、新世代のより高効率、より小型、より低コストの集積回路のプラットフォームとなる新世代のディスクリート・デバイスが頻繁に製品化されています。GaN集積回路は、製品をより小さく、より速く、より高効率にし、設計を容易にします。
米Power Systems Design誌
2021年3月（36ページ）
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EPCのePower™ Stage集積回路のEPC2152が、今年のElektra Awardsのアナログ部門のSemiconductor Product of the Yearのファイナリストに選ばれました。これらの権威ある年間賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を称え表彰するもので、19年以上にわたって実施されています。
企業は、個々の分野にエントリーするよう求められ、自社の製品がいかに革新的であるか、意図されたアプリケーションに既存の製品よりも、いかにうまく対応するか、そして、さらなるアプリケーションや市場をどのように開拓できるかを実証しなければなりません。審査は、業界の専門家から成る独立した偏りのない、多様で豊富な知識を持つ識者によって行われます。現在のCOVIDの制約によって、今年のElektra Awardsのセレモニーは、3月25日にバーチャルで開催され、受賞者はイベント中に発表されます。
EPCのEPC2152は、高密度アプリケーションや、イーモビリティ、ドローン、ロボットのモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された80 V、12.5 Aのパワー段ICです。EPC2152は、より高い性能と、より小さなソリューション・サイズを提供し、EPC独自のGaN IC技術を使って、ドライバとeGaN FETのハーフブリッジ・パワー段をワン・チップにしています。ハーフブリッジとして構成されたeGaNの出力FETと共に、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、ゲート駆動バッファの各回路がモノリシック・チップに集積されています。これによって、わずか3.9 mm✕2.6 mm✕0.63 mm（10 mm2）と小型のチップスケールLGA封止のデバイスが得られています。
Elektra Awards候補者リスト
2021年2月
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GaNパワー・トランジスタのワン・チップ・ハーフブリッジ製品EPC2100が、ディスクリート半導体の革新的な進歩に対する賞を受賞。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年1月7日、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）のモノリシック・ハーフブリッジ・パワー・トランジスタ製品が、米Electronic Products誌の「Product of the Year」賞を受賞したと発表しました。
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開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67％増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年4月17日、eGaN FETを使う大電流、高降圧比のバック型中間バス・コンバータ（IBC）向けにハーフブリッジ構成の開発基板「EPC9016」を製品化しました。この用途では、１個のハイサイド（制御）用電界効果トランジスタ（FET）と比べて、並列接続された2個のローサイド（同期整流）用FETが、はるかに長い期間導通します。
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このコラムでは、高速で寄生要素が小さいデバイスを並列接続したときに直面する課題を扱うことによって、大電流出力の用途向けに並列接続したeGaN® FETの能力を評価し、並列化技術の改良を示しました。この設計法の実験的検証では、最適化されたレイアウトにおける並列接続した4つのハーフブリッジが、480W、300kHz、40Aの48Vから12Vへのバック・コンバータとして動作し、35％～100％の負荷に対して、96.5％以上の効率が得られました。この設計法は、従来の並列化方法と比べて、電気的・熱的に優れた特性が得られ、高速GaNデバイスは、より大きな電流の動作向けに効率的に並列接続することができることを実証しました。
EEWeb
著者： Alex Lidow
2014年4月
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