窒化ガリウム・ベースの高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、従来のシリコン・ベースのコンバータに比べて、材料とデバイスの利点が多いため、民生用と産業用の両方の電力変換に広く採用されています。GaNによって実現されるはるかに高いスイッチング周波数での電力変換効率の改善は、システム・コストの削減と電力密度の向上につながります。電力密度が増加するにつれて、放熱解析と熱モデリングが非常に重要になります。この記事では、Efficient Power Conversion（EPC）によって公開されたサーマル・カリキュレータ・ツールを調査します。EPCは、エンハンスメント・モードGaN HEMTと、多くのコンバータのビルディング・ブロックを形成するハーフブリッジなどの集積化した電力変換回路を製造しています。

米Power Electronics News誌
2023年11月
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いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側（つまり、パッケージ）を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、フィールドでの実際の動作、またはAECやJEDECの規格に従ってテストしたとき、優れた熱機械的信頼性を示しています。これは、「パッケージ」の本質的な単純さ、すなわち、ワイヤー・ボンド、異種材料、成形材料を使っていないからです。最近、寿命予測を実験的に求めるために、アンダーフィル製品の広範な調査が実施されました。このセクションの最後にある有限要素解析では、実験結果を説明し、主要な材料特性に基づいてアンダーフィルを選択するためのガイドラインを提示します。

独Bodo’s Power Systems
2021年3月
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この記事では、特にチップスケール・パッケージ（CSP）において、電力密度の増加によって熱管理が引き起こす課題について説明します。ただし、見過ごされがちなのは、CSPのeGaN^®のパワーFETと集積回路は、ヒートシンクを取り付けるという簡単な方法で標準的なプリント回路基板に実装すると、優れた熱特性が得られることです。シミュレーションは、実験的検証によってサポートされており、さまざまなパラメータと熱流経路の影響を調べて、性能対コストの設計に関するガイダンスを提供します。

独Bodo’s Power Systems
2021年2月
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eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
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より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN ^®FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
2016年10月
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より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN^® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
David Reusch博士、Alex Lidow博士
2016年6月1日
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