窒化ガリウム・ベースの高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、従来のシリコン・ベースのコンバータに比べて、材料とデバイスの利点が多いため、民生用と産業用の両方の電力変換に広く採用されています。GaNによって実現されるはるかに高いスイッチング周波数での電力変換効率の改善は、システム・コストの削減と電力密度の向上につながります。電力密度が増加するにつれて、放熱解析と熱モデリングが非常に重要になります。この記事では、Efficient Power Conversion（EPC）によって公開されたサーマル・カリキュレータ・ツールを調査します。EPCは、エンハンスメント・モードGaN HEMTと、多くのコンバータのビルディング・ブロックを形成するハーフブリッジなどの集積化した電力変換回路を製造しています。

米Power Electronics News誌
2023年11月
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低電圧GaN FETはサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。

低電圧GaN FET（すなわち100 V）は、多くの従来のSiベース・パワーMOSFETのアプリケーションのサイズを小型化し、冷却要件を最小限に抑え、効率を向上させています。この記事では、これらのデバイスの動的性能の再現性と信頼性の高い特性評価に対する課題について説明します。カスタマイズされたGaNの治具とテスト基板の慎重かつ細心の機械的および電気的設計によって、これらの課題の多くを克服でき、パワー・コンバータ設計で、これらの新しいWBGデバイスを、確信を持って使えるようになります。

米Power Electronics News誌
2023年7月
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この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。

この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。

米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、技術者が製品サポートを受けたり、質問したり、GaN技術の利用に関するアイデアを共有したりするためのフォーラムを立ち上げました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム（GaN）・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。このフォーラムは、技術者、技術系学生、および、すべてのGaNの支援者のために立ち上げられ、ユーザーがGaN関連の質問を送信し、ユーザー・コミュニティとアイデアを共有する機会を提供します。質問は、トピック分野、トップ・トピック、最新の投稿で検索できます。ユーザーは、質問を送信するだけでなく、投稿の「共有」リンクを介してフォーラム内から過去の質問と回答を共有できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、高性能GaNベース設計のための設計ツール、モデル、および性能シミュレーションの設計支援を拡張し、提供します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月19日、GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。eGaN^® FET と ICは、今日の最先端アプリケーションの厳しい電力密度の要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化を提供します。GaN Power Bench のツールは、そのアプリケーションに最適なGaNデバイスの選択を支援し、その設計の熱特性をシミュレーションして最適化でき、理想的な性能を得るために必要な最適な設計のヒントを迅速かつ簡単に複製するために必要なすべてのサポート資料とアプリケーション例を提供します。

この記事では、特にチップスケール・パッケージ（CSP）において、電力密度の増加によって熱管理が引き起こす課題について説明します。ただし、見過ごされがちなのは、CSPのeGaN^®のパワーFETと集積回路は、ヒートシンクを取り付けるという簡単な方法で標準的なプリント回路基板に実装すると、優れた熱特性が得られることです。シミュレーションは、実験的検証によってサポートされており、さまざまなパラメータと熱流経路の影響を調べて、性能対コストの設計に関するガイダンスを提供します。

独Bodo’s Power Systems
2021年2月
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窒化ガリウム（GaN）・トランジスタは、10年以上にわたって大量生産されています。利用可能になった最初の数年間、この新しいデバイスの高速スイッチング速度（由緒あるSi MOSFETの最大10倍）が、GaN FETを採用する主な理由でした。MOSFETで正規化されたGaNデバイスの価格設定が、さまざまな電圧定格と電力処理能力を備えた広範なデバイスの製品化と相まって、コンピュータ用DC-DCコンバータや、ロボット、電動自転車、電動キック・スクータのモーター駆動などの主流のアプリケーションではるかに広く受け入れられるようになりました。初期の採用者から得られた経験は、GaNの世界へのその後の採用者がより早く生産に入る道を示しました。この記事は、パワー・システムの設計者が最小のコストでGaNベースの設計を最大限に活用するために役立つ3つのトピックについて説明する一連の記事の最初の記事です。3つのトピックは次のとおりです。（1）レイアウトの考察。（2）電力処理能力を最大化するための熱設計。（3）EMI（電磁干渉）雑音の最小コストの低減技術。

独Bodo’s Power Systems
2021年1月
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