超高速eGaN® FET

高速に、より速く

Ultra High Frequency FETs

パワー・トランジスタとRFトランジスタの境界をあいまいに

電源システムやRFの設計者は今、低いGHz帯のスイッチング周波数で動作する高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

パワー・トランジスタ向けに新天地を切り開くこれらのデバイスは、サブ・ナノ秒程度のスイッチング遷移速度なので、10MHz以上のハード・スイッチングの用途に使えます。たとえ、それらが10MHz以上で設計されても、これらの製品は、低いGHz帯において十分高い利得で非常に良い小信号RF特性を示すので、それらをRFの用途に対する競争力のある選択肢にします。

低電力、小型、高周波のEPC8000ファミリーのデバイスが大きく貢献するアプリケーションの例には、数MHz帯で動作するハード・スイッチングのパワー・コンバータ、RFパワー・アンプの包絡線追跡、携帯機器の無線充電向け高共鳴ワイヤレス・パワー伝送システムなどがあります。

製品表