EPC2030：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 2.4 mΩ
ID, 48 A
パルス ID, 490 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2030 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：4.6 mm x 2.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • POL（負荷点）コンバータ
  • 同期整流

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:廃止
代替えの可能性のあるデバイスEPC2067、EPC2031を検討するか、またはGaNのエキスパートに聞くを介してEPCに連絡して、代替ソリューションを相談してください。
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