EPC2102: エンハンスメント・モードGaNパワー・ トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 60 V
RDS(on), 4.9 mΩ
ID, 30 A
パルス ID, 220 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2102 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:6.05 mm × 2.3 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ

特徴

  • 高いスイッチング周波数: 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失が小さい、逆回復損失がゼロ
  • 実装面積が小さい: 電力密度が高い
ステータス:推奨
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く