EPC33110：高密度モーター駆動用の100 V、3相ePower™ Stage

機能

• 同じパッケージに収めた3相のパワー段：ゲート ドライバ×3＋eGaN^®FET×6、レベル・シフト回路とブートストラップを内蔵
• 3.3 Vまたは5 VのCMOS互換しきい値に対応し、独立した論理入力（各ハーフブリッジ）
• 耐シュートスルー（貫通電流）・アーキテクチャ；論理ロックアウトによって、故障／不正状態時に両方のFETをデフォルトでオフ
• 丈夫なハイサイド駆動のための同期ブートストラップ（ハイサイド）充電
• モーター駆動動作に合わせて調整されたdv/dとスイッチング動作
• 高速シャットダウン機能によって、障害発生時にPWM（パルス幅変調）を即座にディセーブル
• 高速シャットダウン機能によって、障害発生時にPWM（パルス幅変調）を即座にディセーブル
• アクティブ・ローの障害入力
• 100%オン機能によって過変調を許容
• VDDまたはVBOOTがしきい値を下回るとパワー・オン・リセットの出力をディセーブル；危機的なレールでは低電圧ロックアウト機能
• 高速スイッチング過渡時の誤トリガー耐性；ハードスイッチング／ソフトスイッチング用の耐性のあるレベル・シフト回路
• 表面側のヒートシンクへの熱抵抗を低減するために表面が露出し、放熱性に優れたQFN；インラインAOI（生産ライン上に配置した自動光学検査）のためのウェッタブル・フランク（側壁フィレット性）