EPC2049：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 5 mΩ
ID, 16 A
パルス ID, 175 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2049 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：2.5 mm x 1.5 mm

アプリケーション

  • POL（負荷点）コンバータ
  • 包絡線追跡電源
  • LiDAR（光による検出と距離の測定）／パルス化したパワーの用途
  • D級オーディオ
  • 低インダクタンスのモーター駆動

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス：中止
代替えの可能性のあるデバイスEPC2045、EPC2015Cを検討するか、またはGaNのエキスパートに聞くを介してEPCに連絡して、代替ソリューションを相談してください。
epc連絡先
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

デモ・ボード／開発基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

設計例

デバイス・モデル