EPC2091: 100 V, 2 mΩ GaN FET for High-Efficiency Power Conversion

VDS, 100 V
最大RDS(on), 2 mΩ
ID, 126 A
パルス ID, 350 A

EPC2091 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：3.23 mm x 2.88 mm
Copper Pillar

アプリケーション

  • Copper pillars for package integration
  • DC-DC電力変換
  • Lidar
  • 同期整流
  • POL（負荷点）コンバータ
  • USB-C
  • D級オーディオ
  • LED照明
  • イーモビリティ

特徴

  • 超高効率
  • 逆回復なし
  • 超低QG
  • 実装面積が小さい
ステータス:推奨
購入

代理店を探す
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

デバイス・モデル

設計ツール