EPC2103:エンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 80 V
RDS(on), 5.5 mΩ
ID, 30 A
パルス ID, 195 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2103 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:6.05 mm×2.3 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動

特徴

  • 高いスイッチング周波数: 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失が小さい、逆回復損失がゼロ
  • 実装面積が小さい: 電力密度が高い
ステータス:推奨
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