EPC2374：高密度DC-DC変換向け40 VのGaNパワー・トランジスタ

VDS, 40 V
標準値RDS(on), 0.5 mΩ
ID, 101 A
パルス ID, 533 A

EPC2374 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ・サイズ:3.3 mm x 3.3 mm

アプリケーション

  • 高性能、高電力密度DC-DC変換
  • 高周波DC-DC変換
  • 同期整流

特徴

  • 高周波向け超低QG
  • 最高クラスの性能指数RDS(on)×QG（<12 mΩ nC以下）
  • 逆回復なし
  • 裏面サーマル・パッド付きPQFNパッケージ
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。
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