EPC2378: 25 V, 101 A, 0.37mΩ GaN Power Transistor

VDS、25 V
標準RDS(on)、0.41 mΩ
ID、101 A
パルスID、699 A

EPC2373 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ面積：3.3 mm×3.3 mm

アプリケーション

  • 高性能・高電力密度DC-DCコンバータ
  • 高周波DC-DCコンバータ
  • 同期整流器
  • 負荷点POL（Point-of-Load）バック（降圧型）・コンバータ
  • 48 V入力、8 V/5 V出力のLLCコンバータの2次側パワー段

特徴

  • 高周波動作向け超低ゲート電荷QG
  • 業界トップ・クラスの低い性能指数RDS(on) × QG
  • 裏面サーマル・パッド付きPQFNパッケージ
  • 同期整流に最適化
ステータス：推奨
購入時にENG*の接尾辞が付いているエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング段階にあるため、最新の状況について最寄りのフィールド・アプリケーション・エンジニアに問い合わせずに、信頼性ストレス・テストやその他の認定テストに使わないでください。
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