EPC2379: 18 V, 101 A, 0.33 mΩ GaN Power Transistor

VDS、18 V
標準RDS(on)、0.33 mΩ
ID、101 A
パルスID、783 A

EPC2379 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ面積：3.3 mm×3.3 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • 同期整流
  • サーバー
  • 人工知能

特徴

  • 超低ゲート電荷QG
  • 非常に低いオン抵抗RDS(on)
  • ロジック・レベル
  • 軽量
  • 裏面サーマル・パッド付きPQFNパッケージ
ステータス：エンジニアリング
購入時にENG*の接尾辞が付いているエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング段階にあるため、最新の状況について最寄りのフィールド・アプリケーション・エンジニアに問い合わせずに、信頼性ストレス・テストやその他の認定テストに使わないでください。
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