EPC90146:100 V、45 AのGaNベースのハーフブリッジ開発基板

EPC90146:EPC2071を使った100 V, 45 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90146の開発基板

EPC90146は、定格100 VのeGaN® FET(EPC2071)を搭載し、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板です。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ回路に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2071の評価プロセスを単純化することです。

開発基板のEPC90146の面積は2インチ×2 インチ(1インチは2.54 cm)で、ハーフブリッジ構成の2個のGaN FET(EPC2071)と、ブートストラップ電源を強化するために使われる1個のGaN FET(EPC2038)が搭載されています。EPC90146は、ゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、レイアウトは最適なスイッチング性能をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントもあります。

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