EPC9034 : 80 V のハーフブリッジ開発基板
>EPC9034は、デバイスの最大電圧80 V、最大出力電流35 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）の EPC2021 を搭載しています。
この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2021 の評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90122を提案しています。