EPC9050：100 Vのハーフブリッジ開発基板
EPC9050は、デバイスの最大電圧100 V、最大出力電流2.5 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）の EPC2036 を搭載しています。 この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2036 の評価プロセスを単純化することです。
例として、48 Vから5 V/4 A（1000kHz）へのバック・コンバータとして動作したときの60VのEPC9049の波形CH1:VPWM入力電圧、CH2:（IOUT）スイッチ・ノード電流、CH4: （VOUT）スイッチ・ノード電圧
* 誘導性負荷と仮定し、最大電流は、チップ温度に依存します：実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、温度の影響も受けます。 # ハイサイドのブートストラップ電源を「リフレッシュ」するために必要な時間に依存します。
例として、48 Vから5 V/4 A（1000kHz）へのバック・コンバータとして動作したときの60VのEPC9049の波形