EPC9079：開発基板

EPC9079：200 V, 6 Aの開発基板

開発基板のEPC9079は、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流6 Aで、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジです。エンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2046を搭載しています。

GaN FETのEPC2046の評価プロセスを単純化するために、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品が搭載されています。