EPC9080：100 V, 30 Aの開発基板
T開発基板のEPC9080は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流30 A、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジです。高降圧比、大電流の用途向けに設計されたエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2045とEPC2022を搭載しています。
評価プロセスを単純化するために、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品が搭載されています。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90133を提案しています。