EPC9098: 170 V, 17 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板EPC9098は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2059を搭載し、最大デバイス電圧170 V、最大出力電流17 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
T開発基板EPC9098は、面積が2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET（EPC2059）と、米テキサス・インスツルメンツのゲート・ドライバLMG1205を搭載しています。
GaN FETのEPC2059の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法