EPC90124: 200 V, 8 Aの開発基板
開発基板EPC90124は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2053を搭載し、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流8 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
開発基板のEPC90124の面積は、2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、2個のEPC2207（eGaN FET）がハーフブリッジ構成で搭載されており、米テキサス・インスツルメンツのゲート・ドライバLMG1210を使っています。
GaN FETのEPC2053の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法