EPC90128:100 V、14 AのGaNベースのハーフブリッジ開発基板

EPC90128:EPC2044を搭載した100 V、14 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90128の開発基板

EPC90128は、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ開発基板で、定格100 VのeGaN® FET(EPC2044)を備えています。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板上にすべての重要な部品を組み込むことで、EPC2044の評価プロセスを単純化することです。

開発基板のEPC90128は、面積が2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)で、2個のGaN FET(EPC2044)を使ったハーフブリッジ構成が含まれています。EPC90128は、台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするためのさまざまなプローブ・ポイントもあります。

ステータス:廃止
テストと性能の検証のみを目的として開発した完全に組み立てられたリファレンス・デザインであり、販売していません。
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