EPC9091:開発基板

EPC9091: 100 V, 5 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC9091の開発基板

開発基板EPC9091は、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2051を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流5 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。

開発基板EPC9091は、面積が2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)で、台湾uPI Semiconductor社のゲート・ドライバuP1966Eを使ったハーフブリッジ構成で2個のeGaN FET(EPC2051)を搭載しています。

GaN FETのEPC2051の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ:EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法

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EPC9091 Parameters Table
(1) 最大入力電圧は誘導性負荷に依存するため、EPC2051ではスイッチ・ノードの最大リンギングを100 V以下に維持する必要があります。
(2) 最大電流はチップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、熱冷却の影響を受けます。
(3) ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。