EPC90175：EPC2371を搭載した25 V、45 Aのハーフブリッジ開発基板
EPC90175は、定格25 VのEPC2371（eGaN®
FET）とゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ開発基板です。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板上に、すべての重要な部品を備えることによって、EPC2371の評価プロセスを簡素化することです。
開発基板EPC90175の面積は、2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、ハーフブリッジ構成の2個のEPC2371（GaN
FET）が搭載されています。EPC90175は、ゲート・ドライバUp1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定や効率計算を容易にする多くのプローブ・ポイントも備えています。