提高音量!D類音頻系統的低功耗產生的熱量更少,允許移除散熱器、節省佔板面積和成本,以及延長便携式系統的電池續航力。
在D類音頻系統中,音頻性能受FET特性的影響。GaN FET可實現具有更高保真度的D 類音頻放大器。
GaN FET具有低導通電阻和低電容,可實現高效率和降低開環阻抗,從而實現低瞬態互調失真(T-IMD)。此外,GaN FET的快速開關能力和零反向恢復電荷則可實現更高的輸出綫性度和低交叉失真,從而降低總諧波失真 (THD)。
我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。
半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。
GaN Power Bench爲你提供交互參照搜尋、設計工具、模型和性能模擬,以協助你的設計。取得宜普電源轉換公司(EPC)持續擴充的GaN FET和IC產品組合
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