EPC23104：100V、15A、QFN 封裝、ePower™ 功率級 IC

整合高側與低側 eGaN® FET，具內建閘極驅動器、電平位移器、自舉電路充電功能與閘極驅動緩衝電路
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲15 A
最大輸入電壓爲100 V

EPC23104 GaN PowerIC
封裝尺寸：3.5 mm x 5 mm

特點

  • 整合高側與低側 eGaN FET，內建閘極驅動器與電平位移器
  • 5V 外部偏壓供應
  • 3.3V 或 5V CMOS 輸入邏輯電平
  • 高側與低側控制輸入獨立
  • 邏輯鎖定功能：當兩個輸入同時為高電位時，兩個 FET 均關閉
  • 可使用外部電阻調整開關切換時間與高於電源軌或低於地的過電壓尖峰
  • 堅固的電平位移器，可在硬切換與軟切換條件下運作
  • 具快速切換雜訊的誤觸發免疫能力
  • 高側自舉供電的同步充電
  • 停用輸入可啟動低靜態電流模式（由 VDRV 供電）
  • 低側 VDD 供應的上電重置
  • 高側 VBOOT 供應的上電重置
  • 當失去 VDRV 供電時，對高側與低側 FET 提供主動閘極拉低
  • 具暴露頂部的熱增強型 QFN 封裝，可降低從接面至頂部散熱片的熱阻

應用

  • 降壓、升壓、升降壓轉換器
  • 半橋與全橋 LLC 轉換器
  • 馬達驅動變頻器
  • D 類音訊放大器
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