用於衛星的氮化鎵元件

提高效率、縮小尺寸、減低重量和更高可靠性

Gan Satellite Applications

由於氮化镓場效應電晶體可以承受嚴峻的太空環境,越來越多客戶在衛星應用中採用氮化鎵元件。氮化鎵元件固有的耐輻射特性和對極端溫度和電壓變化的適應能力使其成為衛星系統的理想選擇,確保了元件在軌道運行的長期可靠性和性能。氮化鎵元件的高效率、小尺寸和輕重量有助於衛星小型化和降低發射成本。

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評估板

用於衛星的評估板

產品型號 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
FSW
(kHz)
氮化鎵器件型號  
EPC9157 開發板
EPC9157 300 W 1/16磚式評估模組 18 V - 60 V 12 V 25 A 500 EPC2218 尋找授權經銷商
EPC9143 開發板
EPC9143 300 W 1/16磚式評估模組 18 V - 60 V 12 V 25 A 500 EPC2053 尋找授權經銷商
EPC9151 開發板
EPC9151 套件–300 W、雙向、1/16磚式轉換器評估模組12 V – 15 V (升壓)48 V (升壓)5.5 A (升壓) 500 EPC2152 尋找授權經銷商
EPC9148 開發板
EPC9148 48 V - 19 V超薄多級轉換器er 44 - 60 V 19 V 12.5 A 400 EPC2053 尋找授權經銷商
EPC9153 開發板
EPC9153 250 W高效、纖薄降壓轉換器 44 - 60 V 12 - 20 V 12.5 A 400 EPC2218 尋找授權經銷商

我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

產品

推薦用於衛星的氮化鎵元件

產品型號 狀況 配置 VDS
最大值
VGS
最大值
最大值
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
ID (A) 脈衝電流 ID
(A)
封裝
(mm)
EPC8004 Active 單路 40 6 110 0.37 0.12 0.047 0.63 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC2014C Active 單路 40 6 16 2 0.7 0.3 4 10 60 LGA 1.7 x 1.1 尋找授權經銷商
EPC2035 Active 單路 60 6 45 0.88 0.25 0.16 2.6 1.7 24 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC8002 Active 單路 65 6 480 0.133 0.057 0.015 0.344 2 2 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC8009 Active 單路 65 6 130 0.37 0.12 0.055 0.94 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC2038 Active 帶閘極二極體的單路 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC2038 Active 帶閘極二極體的單路 6 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC2037 Active 單路 100 6 550 0.115 0.032 0.025 0.6 1.7 2.4 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC2107 Active 具同步啓動的雙路 100 6 390 0.19 0.077 0.041 0.9 1.7 3.8 BGA 1.35 x 1.35 尋找授權經銷商
EPC2107 Active 具同步啓動的雙路 100 6 390 0.19 0.077 0.041 1.25 1.7 3.8 BGA 1.35 x 1.35 尋找授權經銷商
EPC2107 Active 具同步啓動的雙路 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 1.35 x 1.35 尋找授權經銷商
EPC8010 Active 單路 100 6 160 0.36 0.13 0.06 2.2 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC2012C Active 單路 200 6 100 1 0.3 0.2 10 5 22 LGA 1.7 x 0.9 尋找授權經銷商

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