EPC Gallium Nitride Motor Drive

馬達控制器

更小尺寸 • 更輕盈 • 更精準

氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路具備無刷DC馬達(BLDC)所需的小尺寸、輕盈及精準控制等條件,應用於機械人、電動車、工業自動化设备及無人機。

為什麼使用氮化鎵元件影片 01: 應用:馬達驅動器

應用簡介:面向無刷直流(BLDC)馬達的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路

下載How2GaN應用筆記:設計緊湊型無刷DC馬達(BLDC)

GaN技術雜談博客: ePower™ Stage 重新定義功率轉換

GaN技術雜談博客: 在馬達控制器發揮氮化鎵元件的力量

馬達控制器為何要採用氮化鎵元件?


  • 提高精度
  • 更小尺寸、更高輸出功率
  • 更快速瞬態回應
  • 較低起動轉矩
  • EMI更低
  • 更輕盈
Block diagram of GaN-based BLDC motor drive inverter
基於氮化鎵元件的無刷DC馬達(BLDC)驅動逆變器的原理圖

面向馬達控制器的推薦元件

ePower™ Stage

產品型號 配置 邏輯電路標稱電壓 (V) 輸入電壓最大值 (V)
RDS(on)
(mΩ)
典型值
額定輸出電流 (A) 特色 短路故障保護 TJ
(°C)
最大值
封裝尺寸
(毫米)
開發板
EPC2152 GaN FET
EPC2152 半橋
ePower™ Stage
12 80 10 12.5 電平切換電路、
自舉電路
欠壓閉鎖 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

GaN FETs 及集成电路

產品型號 配置 VDS RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)最大值
QG
(nC)
典型值
QGS
(nC)
典型值
QGD
(nC)
典型值
QOSS
(nC)
典型值
最大脈衝峰值電流 ID(A)
(25°C、Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半橋式開發板
EPC2101 GaN FET
EPC2101 半橋 60 11.5
2.8
3.3
13
1.1
3.9
0.5
2.2
9.3
45
80
350
BGA 6.05 x 2.3 EPC9037
EPC2102 GaN FET
EPC2102 半橋 60 4.9 8 2.5 1.5 26
31
220 BGA 6.05 x 2.3 EPC9038
EPC2039 GaN FET
EPC2039 單路 80 25 1.91 0.76 0.42 7.64 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2105 GaN FET
EPC2105 半橋 80 14.5
3.6
2.7
11
0.9
3
0.5
2.1
11
51
70
300
BGA 6.05 x 2.3 EPC9041
EPC2103 GaN FET
EPC2103 半橋 80 5.5 6.5 2.2 1.1 30
34
195 BGA 6.05 x 2.3 EPC9039
EPC2021 GaN FET
EPC2021 單路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9034
EPC2106 GaN FET
EPC2106 半橋 100 70 0.73 0.24 0.14 3.96
4.68
18 BGA 1.35 x 1.35 EPC9055
EPC2212 GaN FET
EPC2212 單路(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2001C GaN FET
EPC2001C 單路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9013
EPC2045 GaN FET
EPC2045 單路 100 7 6 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 N/A
EPC2104 GaN FET
EPC2104 半橋 100 6.8 6.8 2.3 1.4 35
41
180 BGA 6.05 x 2.3 EPC9040
EPC2053 GaN FET
EPC2053 單路 100 3.8 11.4 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2022 GaN FET
EPC2022 單路 100 3.2 13.2 3.4 2.4 71 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9035
EPC2034C GaN FET
EPC2034C 單路 200 8 11.4 3.8 2.1 95 213 LGA 4.6 x 2.6 EPC9048C
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