實現更優質音效! 由於D類音頻系統具備更低功耗,因此產生更少熱量、節省占板面積及成本,並延長可擕式系統的電池壽命。
D類音頻系統的音效受場效應電晶體的特性所影響。氮化鎵場效應電晶體可實現具更高音響保真度的D類音頻放大器。
由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)具低阻抗及低電容,因此在低瞬態交錯式調製失真(T-IMD)時可實現高效性能並降低開環阻抗。快速開關性能及零反向恢復電荷可在更低 總諧波失真(THD)時實現更高輸出線性度及低交叉失真。
應用摘要 - 於D類音頻放大器應用採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)
Panasonic公司採用具備高速開關優勢的氮化鎵元件,賦予Technics新的生命
為什麼我們的音樂生活將會是D類功放的天下?
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