VDS(max), 40V Id(max RMS), 25A 帶板載驅動器的半橋配置
EPC9016 開發板配備40 V 增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)-- EPC2015,使用帶板載閘極驅動器的半橋配置,可提供高達25 A的最高輸出電流。EPC9016 開發板旨在簡化對氮化鎵場效應電晶體(EPC2015)進行評估的過程,由於在單板上集成了所有關鍵元件,因此易於與現有的轉換器連接。
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