EPC9099：200 V、15 A半橋開發板
EPC9099半橋開發板的最高電壓為200 V，最大輸出電流為15 A，採用板載閘極驅動器及增強型氮化鎵（eGaN®）場效應電晶體（EPC2215）。
EPC9099是2英寸x 2英寸的開發板，內含兩個採用半橋配置的氮化鎵場效應電晶體，（EPC2215），並採用德州儀器公司的閘極驅動器（LMG1210）。
為了簡化對EPC2215GaN FET進行評估的過程，所有關鍵元件都放置在一塊板上，從而易於與任何現有的轉換器連接。 關於“如何將EPC開發板構建成原型”的影片，請點擊這裡。