EPC GaN Integrated Circuits

氮化鎵(GaN)積體電路

氮化鎵(GaN)元件在提升功率轉換系統性能的最大機遇是它可以將功率級和信號級元件集成在一個晶片上。

2014年,EPC公司的第一批商用氮化鎵積體電路以單片半橋元件的形式推出市場。 隨著技術的進步,更複雜的積體電路開始在市場上出現,例如包含兩個功率電晶體和驅動器電路的積體電路,當它被低功率邏輯閘極驅動時,可在高達7 MHz的頻率下高效地工作。

接下來的計畫是推出集成了驅動器和電平電路的單片半橋元件,從而構建單片功率級。 之後,我們繼續推出具備最優越性能和特定應用功能的單片功率級產品系列,這些產品將迎來功率轉換的新時代。

隨著氮化鎵技術的發展,矽基氮化鎵元件的性能和成本優勢將使得當前採用矽基元件的大多數應用轉為採用外型尺寸更小、開關更快、成本更低和更可靠的氮化鎵元件關於氮化鎵積體電路的更多資訊,請索取GaN IC說明書

積體電路選型表

產品型號 配置 功能 VPWR
(V)
IOUT
(A)
Peak
IOUT
(A)
VDD
(V)
輸入邏輯
Max
Frequency
(MHz)
UVLO
(V)
封裝
(mm)
演示板 购买
eGaN
FETs
EPC21603 單路 eToF™ 雷射驅動器 40 3.7 10 5 LVDS 200 0 BGA 1 x 1.5 立即購買
EPC21601 單路 eToF™ 雷射驅動器 40 3.4 10 5 3.3 V 200 0 BGA 1 x 1.5 立即購買
EPC2152 半橋 ePower™ 功率級 70 12.5 12 3.3 V 3 7.5 LGA 3.9 x 2.6 立即購買