EPC GaN Integrated Circuits

氮化鎵(GaN)積體電路

氮化鎵(GaN)元件在提升功率轉換系統性能的最大機遇是它可以將功率級和信號級元件集成在一個晶片上。

2014年,EPC公司的第一批商用氮化鎵積體電路以單片半橋元件的形式推出市場。 隨著技術的進步,更複雜的積體電路開始在市場上出現,例如包含兩個功率電晶體和驅動器電路的積體電路,當它被低功率邏輯閘極驅動時,可在高達7 MHz的頻率下高效地工作。

之後,於2020年推出了單片半橋,它結合了驅動器和電平轉換電路以創建單片功率級(EPC2152)。其後,我們繼續推出一系列單片功率級產品,具備超卓性能和針對特定應用的特性,旨在爲開啓電源轉換的新時代作出貢獻。

幾年後,將出現離散式元件與積體電路的融合。隨著離散式元件實現越來越高的功率密度,將不再可能從元件的凸塊和焊條中取得所需的電流。因此,需要整合到小型、多晶片、具有多功能的積體電路中。很可能在未來幾年內的電源轉換中,離散式電晶體將被慢慢地淘汰,而基於積體電路的解決方案,將成爲設計工程師在構建電源系統時必選的元件。

關於GaN IC的更多訊息,請下載電子書《GaN Power Solutions From Discrete to ICs

GaN 積體電路使您的系統可以更快、更小!

宜普電源轉換公司(EPC)可讓客戶自定義積體電路級別,從而符合客戶的要求和實現所需的解決方案。如欲討論如何實現所需的基於氮化鎵元件的解決方案,請把您的要求,發送電子郵件至 [email protected],我們會與您聯繫。

如需 EPC eGaN 元件的列表,請參閱元件選型指南

積體電路選型表

產品型號 狀況 配置 功能 VPWR
(V)
IOUT
(A)
Peak
IOUT
(A)
VDD
(V)
輸入邏輯
最大值
頻率
(MHz)
UVLO
(V)
封裝
(mm)
演示板 购买
eGaN
FETs
uP1966E 推薦 80 5 3.3 V BGA 1.6 x 1.6 立即購買
EPC21601 推薦 單路 eToF™ 雷射驅動器 40 3.4 15 5 3.3 V 100 0 BGA 1 x 1.5 立即購買
EPC2152 工程產品 半橋 ePower™ 功率級 80 15 90 12 3.3 V 3 7.5 LGA 3.9 x 2.6 立即購買
EPC23101 工程產品 半橋 ePower™晶片組 100 5 5 3.3 V 3 4 QFN 3.5 x 5 立即購買
EPC23101 工程產品 半橋 ePower™晶片組 100 65 240 5 3.3 V 3 4 QFN 3.5 x 5 立即購買
EPC23102 工程產品 半橋 ePower™ 功率級 QFN 3.5 x 5 立即購買
EPC21603 工程產品 單路 eToF™ 雷射驅動器 40 3.7 10 5 LVDS 100 0 BGA 1 x 1.5 立即購買