EPC2001:增强型功率電晶體

VDS, 30 V
RDS(on),
8 mΩ (Q1, 控制 FET),
2 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 9.5 A (Q1) 及 38 A (Q2)
脉衝 ID,100 A (Q1) 及 400 A (Q2)
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2100 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

榮獲《Electronics Products》雜誌「年度產品獎」

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換
  • 負載點(POL)轉換器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗、更低寄生電感及更低驅動功率
  • 效率更高 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 佔板面積更小 - 實現更高功率密度
產品狀況:停產產品
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