EPC2001:增强型功率電晶體

VDS、 100 V
RDS(on)、 7 mΩ
ID、 25 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2001 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

應用筆記

  • 高速DC/DC轉換器
  • 高頻硬開關及軟開關技術
  • D類音頻放大器

優勢

  • 高開關頻率 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況: 停產產品
在全新設計中,請採用EPC2001C產品
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教