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向GaN技術專家提問
EPC2010:增强型功率電晶體
V
DS
, 200 V
R
DS(on)
, 25 mΩ
I
D
, 12 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 3.6 mm x 1.6 mm
應用
高速直流-直流轉換
高頻硬開關及軟開關技術
D類音頻放大器
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
停產產品
在全新設計中,請採用
EPC2010C
產品
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eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教
數據表
EPC2010 數據表
EPC2010C 數據表
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EPC9003
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關於衝突礦物聲明
材料聲明
設計資源
應用筆記
組裝eGaN
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FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
第二代eGaN
®
FET 特性
使用eGaN
®
FET
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型
Multisim
更改產品規格通告
PCN170501 - Gen 2 EPC20xx 產品系列的產品生命週期結束(EOL)通知
PCN130201 - 卷帶包裝
PCN131202 – 150 V – 200 VEPC2xxx系列産品的製程更改通知
向EPC代表提問