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向GaN技術專家提問
V
DS
, 40 V
R
DS(on)
, 4 mΩ
I
D
, 33 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm
應用
高速直流-直流轉換
高頻硬開關及軟開關技術
D類音頻放大器
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
停產產品
在全新設計中,請採用
EPC2015C
產品
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組裝eGaN FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
第二代eGaN FET 特性
使用eGaN FET
設計範例
以太网供电
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型
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PCN170501 - Gen 2 EPC20xx 產品系列的產品生命週期結束(EOL)通知
PCN131201 – EPC2xxx 系列産品的製程更改通知
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