VDS, 40 V
RDS(on), 4 mΩ
ID, 33 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2015 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 高頻硬開關及軟開關技術
  • D類音頻放大器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:停產產品
在全新設計中,請採用EPC2015C產品
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