EPC2308: 150 V, 6 mΩ增强型功率電晶體

VDS, 150 V
RDS(on), 6 mΩ
ID, 63 A
脉衝 ID, 157 A

EPC2308 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封裝尺寸:3 mm x 5 mm

應用

  • Sync rectification applications to 28 V-36 V-48 V-54 V
    • Chargers
    • Adaptors
    • Power Supplies/SMPS 100 W – 500 W
      • Fast charging for phones & notebooks
      • Gaming PCs
      • eBikes
      • eScooters
      • Power Tools
      • Vacuums
  • Solar optimizers

優勢

  • 高效率
    • 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • No reverse recovery (QRR)
  • 超小外形尺寸
產品狀況:推薦
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教