EPC2367：100 V，78 A 增強型 GaN 功率電晶體

VDS, 100 V
典型 RDS(on), 1.2 mΩ
ID, 78 A
脈衝 ID, 309 A

EPC2367 GaN PowerIC
封裝尺寸: 3.3 x 3.3 mm

應用領域

  • 高頻 DC-DC 轉換
  • 高功率密度 DC-DC 模組
  • 24 V – 60 V 馬達驅動
  • 同步整流

優勢

  • 超高效率
  • 無反向恢復 (Qrr)
  • 超低 QG
  • 小型佔位面積
  • 優異的散熱性能
狀態: 工程樣品
工程樣品，購買時帶有 ENG* 後綴，處於工程狀態，請勿用於可靠性壓力測試或其他認證測試，請聯絡您的當地應用工程師以獲取最新資訊。
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