EPC2619: 100 V、4.2 mΩ增强型功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on) (最大值), 4.2 mΩ
ID, 29 A
脉衝 ID, 164 A

EPC2619 Enhancement Mode GaN Power Transistor
Package Size: 2.5 mm x 1.5 mm

應用

  • DC-DC Converters
  • Sync rectification applications to 12 V / 20 V DC
  • Motor Drive
    • Power Tools
    • eBikes and eScooters
    • Robots
    • DC Servo
    • Medical robotics
  • Solar optimizers
  • Class-D Audio
  • Lidar
  • USB PD 3.1 chargers

優勢

  • 高效率
    • 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • No reverse recovery (QRR)
  • 超小外形尺寸
  • Excellent thermal performance
產品狀況:推薦
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教