Application Briefs

氮化鎵 (GaN) 技術正在改變我們的生活方式,同時挑戰電力系統設計工程師將高效能的氮化鎵場效應晶體管 (FETs) 和集成電路 (ICs) 融入下一代電力系統設計中。

透過閱讀下列應用簡報,了解使用 EPC eGaN® 技術的應用範例:

eGaN® FETs 和 ICs 用於無線電力應用 (AB001)

無線能量傳輸能夠為眾多滲透我們日常生活的電池供電裝置進行遠端供電和充電。

eGaN FETs 和 ICs 用於包絡追蹤應用 (AB002)

包絡追蹤是一種電源供應技術,透過精準追蹤功率需求來提高射頻功率放大器的能源效率。與當今的固定功率系統相比,包絡追蹤可延長手機的通話時間,並在基站中實現更小、更低成本且更節能的放大器。

eGaN FETs 和 ICs 用於 D 類音頻應用 (AB003)

音頻放大器重現聲音的質量,通過總諧波失真 (THD)、阻尼因數 (DF) 和交調失真 (IMD) 衡量,其性能受電源晶體管的特性影響。

eGaN FETs 和 ICs 用於 LiDAR (AB005)

LiDAR(光探測與測距)使用脈衝激光快速生成環境區域的三維圖像或地圖。

eGaN FETs 和 ICs 用於網絡負載點轉換器 (AB006)

對於小型、高效、高速響應的負載點轉換器的不斷需求正在推動對更快、更高效的功率開關的需求。

eGaN FETs 和 ICs 用於擴增實境 (AB008)

LiDAR(光探測與測距)用於擴增實境,以創建環境區域的三維圖像或地圖。

eGaN FETs 和 ICs 用於 48 V 降壓轉換器 (AB009)

數據中心消耗大量的電能,運營功率從數兆瓦到數十兆瓦不等。當前的數據中心電力轉換設計重點在於提高能源效率並降低運營成本。

eGaN FETs 和 ICs 用於醫療技術 (AB010)

分辨率是所有醫療成像設備(如超聲、CT 掃描和 MRI)的關鍵屬性。eGaN FETs 和 ICs 提高了成像設備進行掃描測量的速度和精度,其小型化和高效率特性改善了數據分辨率,並降低了操作功耗,使成像更快。

eGaN FETs 和 ICs 用於 DC-DC 轉換 (AB013)

使用 eGaN FETs(如 EPC2045),可以實現最小型、最具成本效益和最高效率的非隔離式 48 V 至 12 V 轉換器,適用於高性能計算和電信應用。

eGaN FETs 和 ICs 用於高可靠性應用 (AB015)

在惡劣環境(如太空、高空飛行或高可靠性軍事應用)中使用的電力轉換器必須能抵抗輻射造成的損壞或故障。

eGaN FETs 和 ICs 用於汽車 DC-DC 應用 (AB016)

汽車電子設備現在可以充分利用增強型氮化鎵 (eGaN) 器件的高效率、高速度、小型化和低成本優勢。在 48 V 輸入節點中,GaN 對於傳統矽 MOSFET 有顯著優勢。

eGaN FETs 和 ICs 用於無刷直流 (BLDC) 馬達 (AB017)

關鍵應用包括電動移動工具、協作機器人、直流伺服驅動器、無人機和汽車,這些應用中 GaN 器件實現了更小、更輕且更精確的馬達驅動。

eGaN FETs 和 ICs 用於無人機 (AB018)

GaN 技術為工業無人機中的多種應用提供了一種高效解決方案。GaN 可以提高性能、縮小尺寸和重量,並降低工業無人機及 UAV 的馬達驅動器、DC-DC 電源和 LiDAR/飛行時間系統的成本。

eGaN FETs 和 ICs 用於 USB-C PD 快速充電器 (AB019)

USB-C PD 快速充電器和智能手機及筆記本電腦的適配器需要最高的功率密度來實現快速充電和小型化。eGaN FETs 和 ICs 支持小型化、超高效率以及卓越的熱特性。

eGaN FETs 和 ICs 用於同步整流 (AB020)

關鍵應用包括同步整流、多千瓦伺服器 AC/DC 系統、網通和電信系統、適配器和 SMPS,用於 LED 和 OLED 電視、家庭影院系統、遊戲及圖形 PC、計算和 LED 照明。

eGaN FETs 和 ICs 用於 1 kW - 3 kW 通用輸入功率因數校正 (PFC) (AB021)

為什麼選擇 GaN 用於 PFC?高效率(大於 99%)、小型化、低諧波失真,4 級飛行電容多層 (FCML) 無橋 PFC 拓撲結構採用了 200 V GaN 器件。

GaN FETs 和 ICs 用於太陽能應用 (AB022)

對於更高功率密度的需求導致冷卻系統成本增加,當前的矽 MOSFET 解決方案已無法滿足功率密度需求。因此,領先的太陽能公司正在採用 GaN 技術。

GaN FETs and ICs for Solar Power Applications (AB022)

The trend for higher power density results in very expensive cooling systems and state-of-art silicon MOSFET solutions cannot longer meet the power density required. Therefore, the leading solar companies are adopting GaN.

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