宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow 將與工程師分享專為工作在10 MHz頻率範圍而設的全新增強型氮化鎵（eGaN®）高電子遷移率電晶體系列，由於這些電晶體在經過輻射照射後仍然具高可靠性，因此它們是高可靠性應用的理想器件。
矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將在四月三日於美國南卡羅來納州的Charleston市舉行的第39屆GOMACTech年度研討會演講。
自2010年以來，增強型氮化鎵電晶體已作 商業用途 ，並大大地提高商用及使用不同拓撲及功率級的DC-DC轉換器的效率。此外，該電晶體也被展示了可 抵受很高伽瑪劑量的輻照並通過單次事件效應（SEE）測試。 與耐受輻照的功率MOSFET器件相比，氮化鎵場效應電晶體可改善影響開關性能的品質因數達40倍，使得宇航級供電應用設計師可實現商用先進系統的效率。
Alex Lidow稱「我們很高興藉著這個機會與工程師分享宜普公司最新一代高性能氮化鎵功率電晶體以及這些器件經過輻照測試後所取得的優異成績。專為在數MHz頻率開關的轉換器應用而設的矽基氮化鎵功率電晶體可幫助設計耐輻射系統的工程師實現與商用先進系統一樣的功率密度及效率。」
關於2014年GOMACTech 研討會
GOMACTech 旨在為政府系統中的微電路應用檢討其開發專案。於1968年開始，該研討會主要關注由國防部及其他政府機構所開發的系統的進程，並公佈政府在微電子發展方面的重要建議如VHSIC及MIMIC，以及作為政府檢討專案的平臺。
宜普电源转换公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括 直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术（LiDAR） 及 D类音频放大器 等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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