採用 eGaN FET 的高效、高密度1/8 磚 1 kW LLC 諧振轉換器 Posted 2021年9月20日 隨著數據處理基礎設施的持續快速增長，市場要求在最小的佔板面積內提供更高的功率。 Power Systems Design 2021年9月 閱讀文章 相關的熱門文章 eGaN FETs Enable More Than 4-kW/in3 Power Density for 48 V to 12 V Power Conversion Power Bricks Get an Efficiency Boost with GaN 從氮化鎵元件的行為確定其性能的模型 氮化鎵技術提高數據中心的功率密度 Using GaN FETs can be as simple as using Silicon FETs – an example in 48V systems