EL SEGUNDO，加州 — 2021年9月 — 在設計其最新的高端Maxx系列多通道功率放大器時，innosonix GmBH特別關注待機功耗和整體效率。通過將傳統的矽FET更換為EPC的EPC2059 eGaN FET，公司將待機損耗降低了35％，並降低了導通電阻，從而將總功率效率提高了5％。
EPC2059 是一款6.8 mΩ、170 V增強模式氮化鎵（eGaN）晶體管，為高端放大器應用提供卓越的音頻性能。EPC2059的低導通電阻和低電容使得高效率和低開路阻抗成為可能，從而降低了瞬態互調失真（T-IMD）。快速切換能力和零反向恢復電荷使得輸出線性度更高，交叉失真更低，從而降低了總諧波失真（THD）。
通過使用EPC2059 eGaN FET，innosonix能夠減少待機切換損失，因為總門極電荷幾乎減少了一半。輸出電容僅增加了一倍，使得最大漏極電壓增加了三倍，使Innosonix能夠從全橋設計切換到半橋設計，這也減少了元件成本。低封裝電感提供了清晰的切換波形，從而產生幾乎完美的切換電壓，因此提高了線性度。這導致諧波失真降低了近6dB，主觀音質也有了明顯改善，使客戶受益。
MAxx多通道功率放大器為住宅、科學、工業以及需要高通道數的其他應用設定了前所未有的高端音頻安裝標準。配合每通道極低的功耗，MAxx系列完美契合現代世界減少CO2排放的需求，因為許多設備每天24小時、一周七天都在運行。
MAxx系列將在單個機架空間內提供最高的通道數。這種高密度的包裝提供了一種全新的設計視角，這在傳統解決方案中是不可能的。
“我們很高興能與EPC合作。作為一家小公司，與一些大型半導體製造商做生意並被認真對待並不總是容易的。我們選擇了EPC2059 eGaN FET，因為它完美符合innosonix的電壓、電流和價格要求，其小型封裝是設計高密度電路的一個令人印象深刻的特點”，innosonix的CEO Markus Bätz評論道。
Wolfram Krüger，EPC歐洲銷售副總裁補充說，“這個應用是氮化鎵帶來實際好處的絕佳範例，我們與我們的分銷夥伴FinePower密切合作，為innosonix找到最適合的eGaN FET，以應對Maxx功率放大器帶來的設計挑戰。”
關於EPC
EPC是增強模式氮化鎵（eGaN®）基本功率管理的領導者。eGaN FET和集成電路在應用方面的性能遠超最佳的矽功率MOSFET，例如DC-DC轉換器、遠程感測技術（lidar）、電動機驅動用於eMobility、機器人和無人機，以及低成本衛星。
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eGaN是Efficient Power Conversion Corporation, Inc.的註冊商標。
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