採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模 Posted 2023年11月13日 與採用傳統矽元件的轉換器相比，採用氮化鎵基高電子遷移率電晶體 (HEMT) 具有許多材料和性能優勢，已廣泛用於消費和工業用功率轉換領域。氮化鎵元件在更高的開關頻率下提高了功率轉換效率，進而實現更低的系統成本和更高的功率密度。隨著功率密度的增加，散熱分析和熱建模變得至關重要。我們將在本文分享EPC的熱量計算器。 EPC公司製造增强型 GaN HEMT 和集成電路，例如支持多種轉換器的半橋元件。 Power Electronics News 2023年11月 閱讀文章 相關的熱門文章 Thermal Management of Chip-Scale GaN Devices 小型化的低壓 GaN FET的準確表徵 PCB Power Loop Layout for Chip-scale Package GaN FETs Optimizes Electrical and Thermal Performance Better thermal management of eGaN FETs Minimizing Thermo-mechanical Stress in Chipscale eGaN Devices