影片：下一代氮化鎵平台，用於高密度直流-直流轉換器 Posted 2025年5月14日 下一代氮化鎵平台正在推動高密度直流-直流轉換器技術的重大飛躍，相較於傳統的基於矽的解決方案，提供了前所未有的性能改進。在這次演講中，Alex Lidow 探討了 100V 和 40V 氮化鎵裝置的演進，展示了它們在 48V 至 12V 電力轉換中的作用。本環節強調了氮化鎵技術如何革命性地改變電力轉換，為高性能應用中更小、更高效和成本更低的解決方案提供了基礎。 PCIM 技術舞台 觀看視頻 相關的熱門文章 氮化鎵技術提高數據中心的功率密度 Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs 面向48 V轉到1-2 V/10 A的應用，採用基於氮化鎵元件的 VRM混合式轉換器可實現 95%效率 48V-to-1V Conversion - the Rebirth of Direct-to-Chip Power 基於氮化鎵元件的功率轉換解決方案著眼於下一代應用